[發(fā)明專利]對(duì)非易失性電荷存儲(chǔ)存儲(chǔ)器單元編程的襯底電子注入技術(shù)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200580044069.3
• 申請(qǐng)日: 2005-08-05
• 公開（公告）號(hào): CN101120416A
• 公開（公告）日: 2008-02-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 喬治·薩瑪奇薩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 桑迪士克股份有限公司
• 主分類號(hào): G11C16/10
• 分類號(hào): G11C16/10
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 劉國偉

1.一種對(duì)與共同控制柵極線耦合的多個(gè)存儲(chǔ)器單元進(jìn)行選擇性編程的方法，其中將所述存儲(chǔ)器單元形成在一種導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體阱內(nèi)，所述存儲(chǔ)器單元各自具有：具有相反導(dǎo)電類型的源極區(qū)和漏極區(qū)，所述區(qū)形成在所述阱的表面中且所述區(qū)之間具有溝道區(qū)；電荷存儲(chǔ)元件，其位于所述溝道的至少一部分上，所述阱形成在具有所述相反導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體區(qū)中，所述方法包含：

將編程電壓施加到所述共同控制柵極線，

通過允許沿著所述控制柵極線的所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元中的至少一些存儲(chǔ)器單元的源極區(qū)和漏極區(qū)電浮動(dòng)而對(duì)所述至少一些存儲(chǔ)器單元進(jìn)行編程，和

通過將電壓施加到沿著所述控制柵極線的所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元中的其它存儲(chǔ)器單元的源極區(qū)和漏極區(qū)中的至少一者而禁止對(duì)所述其它存儲(chǔ)器單元的編程。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中施加編程電壓包括：將一系列電壓脈沖施加到所述共同控制柵極線，且其中禁止對(duì)所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元中的其它存儲(chǔ)器單元的編程包括將電壓施加到所述其它存儲(chǔ)器單元的源極區(qū)和漏極區(qū)中的至少一者，所述電壓在個(gè)別電壓脈沖的上升時(shí)間期間增加。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中施加電壓包括：在個(gè)別電壓脈沖的上升時(shí)間的一部分期間將電位施加到其源極區(qū)和漏極區(qū)中的至少一者，隨后在所述上升時(shí)間的剩余部分期間施加逐步增加的電壓。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述共同控制柵極線為根據(jù)NAND架構(gòu)的存儲(chǔ)器單元陣列的多個(gè)字線中的一個(gè)字線。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述共同控制柵極線為根據(jù)NOR架構(gòu)的存儲(chǔ)器單元陣列的多個(gè)字線中的一個(gè)字線。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中將編程電壓施加到所述共同控制柵極線包括用以下方式進(jìn)行此施加：使沿著所述控制柵極的所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元中的所述至少一些存儲(chǔ)器單元在其溝道區(qū)下方在深耗盡模式下操作以使所述阱與所述半導(dǎo)體區(qū)域之間的相反導(dǎo)電類型的接面正向偏壓從而產(chǎn)生用于一深耗盡區(qū)的電子。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中將電壓施加到所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元中的其它存儲(chǔ)器單元的源極區(qū)和漏極區(qū)中的至少一者包括以促使所述其它存儲(chǔ)器單元的溝道區(qū)的導(dǎo)電類型發(fā)生反轉(zhuǎn)的方式進(jìn)行此施加。

8.一種在非易失性存儲(chǔ)器單元陣列中對(duì)沿著字線中的共同字線的不同串中的存儲(chǔ)器單元進(jìn)行選擇性編程的方法，其中所述非易失性存儲(chǔ)器單元陣列形成在具有第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體襯底阱中且電荷存儲(chǔ)元件定位于跨越其中的具有第二導(dǎo)電類型的源極區(qū)與漏極區(qū)之間的表面，所述襯底阱在具有所述第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體材料的襯底內(nèi)形成介面，其中所述存儲(chǔ)器單元排列在多個(gè)串聯(lián)連接的串中，且字線延伸跨越所述多個(gè)串中的存儲(chǔ)器單元的電荷存儲(chǔ)元件，所述方法包含：

允許沿著所述字線中的共同字線的第一群組存儲(chǔ)器單元的源極區(qū)和漏極區(qū)電浮動(dòng)，

將編程電壓施加到所述共同字線，所述編程電壓足以導(dǎo)致電荷從所述襯底注入所述第一群組中的存儲(chǔ)器單元的電荷存儲(chǔ)元件中，和

將電壓施加到沿著所述共同字線的第二群組存儲(chǔ)器單元的源極區(qū)和漏極區(qū)中的至少一者，所述電壓足以在將所述編程電壓施加到所述共同字線期間禁止所述第二群組存儲(chǔ)器單元的編程。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中將電壓施加到沿著所述共同字線的所述第二群組存儲(chǔ)器單元的源極區(qū)和漏極區(qū)中的至少一者包括：經(jīng)由所述個(gè)別串中的其它存儲(chǔ)器單元對(duì)所述第二群組存儲(chǔ)器單元施加電位，其中所述第二群組存儲(chǔ)器單元為所述個(gè)別串的一部分。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中施加編程電壓包括將連續(xù)的電壓脈沖施加到所述共同字線，且其中將電壓施加到所述第二群組存儲(chǔ)器單元的源極區(qū)和漏極區(qū)中的至少一者包括：在所述編程脈沖的上升時(shí)間期間，首先對(duì)所述第二群組存儲(chǔ)器單元施加一個(gè)電位且接著施加在所述脈沖期間維持的增加的正電壓，其中經(jīng)由所述個(gè)別串中的其它存儲(chǔ)器單元將所述電壓施加到所述第二群組存儲(chǔ)器單元，其中所述第二群組存儲(chǔ)器單元為所述個(gè)別串的一部分。