[發(fā)明專利]微細(xì)加工處理劑以及使用其的微細(xì)加工處理方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200580043740.2 | 申請(qǐng)日: | 2005-12-19 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101084573A | 公開(kāi)(公告)日: | 2007-12-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 菊山裕久;脇雅秀;伊藤周德;久次米孝信;二井啟一;長(zhǎng)谷部類;鶴丸一志;中嶌秀紀(jì) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 斯泰拉化工公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/306 | 分類號(hào): | H01L21/306;C23F1/26 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 苗堃;劉繼富 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 微細(xì) 加工 處理 以及 使用 方法 | ||
1.一種微細(xì)加工處理劑,其是用于包括含鎢膜以及硅氧化膜的層疊膜的微細(xì)加工的微細(xì)加工處理劑,其特征在于,含有氟化氫、硝酸,以及氟化銨和氯化銨中的至少任意一種,
在25℃對(duì)所述含鎢膜的蝕刻速度為0.5~5000nm/分的范圍以內(nèi),并且,在25℃對(duì)所述硅氧化膜的蝕刻速度為在25℃對(duì)所述含鎢膜的蝕刻速度的0.5~2倍的范圍以內(nèi),
在所述氟化氫的含量為X摩爾/kg、硝酸的含量為Y摩爾/kg、至少含有氟化銨以及氯化銨中任意一種的含量為Z摩爾/kg時(shí),所述X,Y以及Z滿足下述關(guān)系式,
[數(shù)學(xué)式1]
Z≦1.25Y-1.75????????(1)
Z>1.4Y-3???????(2)
Z≦-0.973Y+0.108×(100-4X)?????????????????(3)
5≦X≦10、Y>0、0<Z≦6???????????(4)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微細(xì)加工處理劑,其特征在于,所述含鎢膜以選自鎢、鈦鎢、銅鎢、鎳鎢、鈷鎢、鉬鎢、鎢硅化物、氮化鎢中的至少1種作為主成分。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微細(xì)加工處理劑,其特征在于,所述硅氧化膜是選自熱硅氧化膜、沒(méi)有摻雜的硅酸鹽玻璃膜、摻雜磷的硅酸鹽玻璃膜、摻雜硼的硅酸鹽玻璃膜、摻雜磷硼的硅酸鹽玻璃膜、TEOS膜、含有氟的硅氧化膜、含有碳的硅氧化膜、氧氮化硅膜、自然氧化膜中的1種的單層膜或者任意地選擇2種以上的層疊膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微細(xì)加工處理劑,其特征在于,在25℃對(duì)所述硅氧化膜的蝕刻速度為0.5~5000nm/分的范圍以內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微細(xì)加工處理劑,其特征在于,含有0.001重量%~0.1重量%的表面活性劑。
6.一種微細(xì)加工處理方法,其特征在于,使用權(quán)利要求1所述的微細(xì)加工處理劑,對(duì)含鎢膜以及硅氧化膜的至少任意一方進(jìn)行微細(xì)加工。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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