[發(fā)明專利]表面圖案化和使用受控沉淀式生長(zhǎng)的通孔制造

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200580043645.2
• 申請(qǐng)日: 2005-12-12
• 公開（公告）號(hào): CN101084469A
• 公開（公告）日: 2007-12-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: D·布丁斯基
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 皇家飛利浦電子股份有限公司
• 主分類號(hào): G03F7/00
• 分類號(hào): G03F7/00;C30B7/00
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司
• 代理人: 王英

1、一種提供具有圖案化材料的襯底的工藝，所述工藝包括提供包括至少一個(gè)表面的襯底，在所述表面上需要將材料圖案化，所述表面包括具有不同表面性質(zhì)的至少第一和第二表面區(qū)域，其中在所述第一表面區(qū)域上進(jìn)一步具有保護(hù)沉淀式生長(zhǎng)物，并將至少一種材料應(yīng)用到至少所述第二表面區(qū)域，因此，或者基本不將所述應(yīng)用材料提供到所述第一表面區(qū)域，或者如果將所述應(yīng)用材料提供到所述第一表面區(qū)域，可從所述第一表面區(qū)域選擇性地去除所述應(yīng)用材料。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝，其中所述第一表面區(qū)域或所述第二表面區(qū)域包括SAM成形分子種。

3、根據(jù)權(quán)利要求2所述的工藝，其中所述第一表面區(qū)域包括第一SAM成形分子種，所述第二表面區(qū)域包括第二SAM成形分子種。

4、根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的工藝，其中通過微接觸印刷應(yīng)用至少一種SAM成形分子種。

5、根據(jù)權(quán)利要求2至4中的任何一項(xiàng)所述的工藝，其中所述SAM成形分子種的暴露官能度可選擇性地允許、促進(jìn)或抑制在其上的沉淀式生長(zhǎng)。

6、根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任何一項(xiàng)所述的工藝，其中所述沉淀式生長(zhǎng)包括鹽沉淀。

7、根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任何一項(xiàng)所述的工藝，其中將所述材料選擇性地應(yīng)用到所述襯底表面的所述第二表面區(qū)域。

8、根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任何一項(xiàng)所述的工藝，其中將所述材料應(yīng)用到(i)所述第二表面區(qū)域，和(ii)被提供到所述第一表面區(qū)域的所述保護(hù)沉淀式生長(zhǎng)物，其中(ii)中這樣應(yīng)用，以允許隨后選擇性去除所述沉淀式生長(zhǎng)物和被應(yīng)用到所述沉淀式生長(zhǎng)物的材料。

9、一種制造包括如權(quán)利要求1內(nèi)所定義的具有圖案化材料的襯底的電子器件的工藝，其中通過如權(quán)利要求1至8中的任何一項(xiàng)所定義的工藝制備所述圖案化襯底。

10、根據(jù)權(quán)利要求9所述的工藝，其中所述電子器件是包括LCD或LED顯示器的驅(qū)動(dòng)電子設(shè)備的有機(jī)電子電路。