[發明專利]表面圖案化和使用受控沉淀式生長的通孔制造

無效

• 申請號: 200580043645.2
• 申請日: 2005-12-12
• 公開（公告）號: CN101084469A
• 公開（公告）日: 2007-12-05
• 發明（設計）人: D·布丁斯基
• 申請（專利權）人: 皇家飛利浦電子股份有限公司
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00;C30B7/00
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 王英

1、一種提供具有圖案化材料的襯底的工藝，所述工藝包括提供包括至少一個表面的襯底，在所述表面上需要將材料圖案化，所述表面包括具有不同表面性質的至少第一和第二表面區域，其中在所述第一表面區域上進一步具有保護沉淀式生長物，并將至少一種材料應用到至少所述第二表面區域，因此，或者基本不將所述應用材料提供到所述第一表面區域，或者如果將所述應用材料提供到所述第一表面區域，可從所述第一表面區域選擇性地去除所述應用材料。

2、根據權利要求1所述的工藝，其中所述第一表面區域或所述第二表面區域包括SAM成形分子種。

3、根據權利要求2所述的工藝，其中所述第一表面區域包括第一SAM成形分子種，所述第二表面區域包括第二SAM成形分子種。

4、根據權利要求2或3所述的工藝，其中通過微接觸印刷應用至少一種SAM成形分子種。

5、根據權利要求2至4中的任何一項所述的工藝，其中所述SAM成形分子種的暴露官能度可選擇性地允許、促進或抑制在其上的沉淀式生長。

6、根據權利要求1至5中的任何一項所述的工藝，其中所述沉淀式生長包括鹽沉淀。

7、根據權利要求1至6中的任何一項所述的工藝，其中將所述材料選擇性地應用到所述襯底表面的所述第二表面區域。

8、根據權利要求1至6中的任何一項所述的工藝，其中將所述材料應用到(i)所述第二表面區域，和(ii)被提供到所述第一表面區域的所述保護沉淀式生長物，其中(ii)中這樣應用，以允許隨后選擇性去除所述沉淀式生長物和被應用到所述沉淀式生長物的材料。

9、一種制造包括如權利要求1內所定義的具有圖案化材料的襯底的電子器件的工藝，其中通過如權利要求1至8中的任何一項所定義的工藝制備所述圖案化襯底。

10、根據權利要求9所述的工藝，其中所述電子器件是包括LCD或LED顯示器的驅動電子設備的有機電子電路。