[發明專利]浸液曝光用抗蝕劑組合物和抗蝕圖案形成方法

有效

• 申請號: 200580043555.3
• 申請日: 2005-12-01
• 公開（公告）號: CN101080673A
• 公開（公告）日: 2007-11-28
• 發明（設計）人: 辻裕光;松丸省吾
• 申請（專利權）人: 東京應化工業株式會社
• 主分類號: G03F7/004
• 分類號: G03F7/004;H01L21/027;G03F7/039
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 朱丹

1.一種浸液曝光用抗蝕劑組合物，其中含有在酸的作用下堿溶性發生變化的樹脂成分(A)，所述樹脂成分(A)含有具有結構單元(a0)和結構單元(a3)的高分子化合物(A1)，所述結構單元(a0)具有放射線的照射下產生酸的酸產生基，所述結構單元(a0)為下述通式(a0-3)所示的結構單元，所述結構單元(a3)衍生自具有含極性基的脂肪族多環式基的丙烯酸酯，

式中，R是氫原子、鹵原子、低級烷基或者鹵化低級烷基m是1-10的整數，

其中所述結構單元(a0)的比例相對于構成高分子化合物(A1)的全體結構單元為0.01摩爾％以上且70摩爾％以下，

所述結構單元(a3)是從下述的式(a3-1)表示的結構單元、式(a3-2)表示的結構單元、式(a3-3)表示的結構單元中選擇的至少一種結構單元，

式中，R與上述相同，j是1-3的整數，k是1-3的整數，t’是1-3的整數，l是1-5的整數，s是1-3的整數。

2.如權利要求1所述的浸液曝光用抗蝕劑組合物，其中所述高分子化合物(A1)還具有結構單元(a1)，所述結構單元(a1)衍生自具有酸離解性溶解抑制基的丙烯酸酯。

3.如權利要求2所述的浸液曝光用抗蝕劑組合物，其中所述結構單元(a1)的比例相對于構成高分子化合物(A1)的全體結構單元為10-80摩爾％。

4.如權利要求1所述的浸液曝光用抗蝕劑組合物，其中所述高分子化合物(A1)還具有結構單元(a2)，所述結構單元(a2)衍生自具有含內酯的單環或者多環式基的丙烯酸酯。

5.如權利要求2所述的浸液曝光用抗蝕劑組合物，其中所述高分子化合物(A1)還具有結構單元(a2)，所述結構單元(a2)衍生自具有含內酯的單環或者多環式基的丙烯酸酯。

6.如權利要求4所述的浸液曝光用抗蝕劑組合物，其中所述結構單元(a2)的比例相對于構成高分子化合物(A1)的全體結構單元為5-60摩爾％。

7.如權利要求1所述的浸液曝光用抗蝕劑組合物，其中所述結構單元(a3)的比例相對于構成高分子化合物(A1)的全體結構單元為5-50摩爾％。

8.如權利要求1所述的浸液曝光用抗蝕劑組合物，其中含有含氮有機化合物(D)。

9.一種抗蝕圖案的形成方法，其中包括使用權利要求1-8中任何一項記載的浸液曝光用抗蝕劑組合物在基板上形成抗蝕劑膜的工序、對所述抗蝕劑膜進行浸液曝光的工序、使所述抗蝕劑膜顯影而形成抗蝕圖案的工序。

10.權利要求1-8中任何一項記載的組合物的用途，所述組合物用于浸液曝光用抗蝕劑。