[發明專利]在利用獨立晶舟旋轉的批次噴灑工藝中提高的均勻性無效
| 申請號: | 200580043310.0 | 申請日: | 2005-12-15 |
| 公開(公告)號: | CN101080806A | 公開(公告)日: | 2007-11-28 |
| 發明(設計)人: | S·約翰斯頓;C·程;S·厄澤爾 | 申請(專利權)人: | 英特爾公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 | 代理人: | 王英 |
| 地址: | 美國加*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 利用 獨立 旋轉 批次 噴灑 工藝 提高 均勻 | ||
1、一種方法,包括:
提供設置在轉盤上的襯底;
旋轉所述轉盤,以使所述襯底繞所述轉盤的中心軸旋轉;
使所述襯底不依賴于所述轉盤而獨立旋轉,其中所述襯底的旋轉與所述轉盤的旋轉同時發生;以及
從至少一個固定的位置將化學制品分配到所述襯底上。
2、如權利要求1所述的方法,其中所述襯底包括半導體晶片。
3、如權利要求1所述的方法,其中所述襯底繞所述襯底的中心軸旋轉。
4、如權利要求1所述的方法,其中借助于處理晶舟將所述襯底設置在所述轉盤上,并且所述襯底繞所述處理晶舟的中心軸旋轉。
5、如權利要求1所述的方法,其中所述轉盤以高達300RPM的速度旋轉。
6、如權利要求1所述的方法,其中所述襯底以高達200RPM的速度旋轉。
7、如權利要求1所述的方法,其中借助于處理晶舟將所述襯底設置在所述轉盤上,并且其中所述襯底不依賴于所述轉盤的獨立旋轉包括使所述處理晶舟不依賴于所述轉盤而獨立旋轉。
8、如權利要求1所述的方法,其中借助于處理晶舟將所述襯底設置在所述轉盤上,并且其中所述襯底不依賴于所述轉盤的獨立旋轉包括使多個用于將所述襯底固定到所述處理晶舟上的垂直固定件旋轉。
9、如權利要求1所述的方法,其中分配所述化學制品包括將化學制品噴灑到所述襯底上。
10、如權利要求9所述的方法,其中所述化學制品包括無電鍍溶液。
11、如權利要求9所述的方法,其中所述化學制品包括用于光刻膠剝離的化學制品。
12、如權利要求9所述的方法,其中所述化學制品包括用于金屬或電介質蝕刻的化學制品。
13、一種方法,包括:
提供設置在轉盤上的襯底;
將第一旋轉賦予所述襯底,使得所述襯底繞第一軸旋轉;
將不依賴于所述第一旋轉的第二旋轉賦予所述襯底,并使得所述襯底繞第二軸旋轉;以及
從至少一個固定的位置將化學制品分配到所述襯底上。
14、如權利要求13所述的方法,其中所述襯底包括半導體晶片。
15、如權利要求13所述的方法,其中所述第一軸包括所述轉盤的中心軸。
16、如權利要求13所述的方法,其中所述第二軸包括所述襯底的中心軸。
17、如權利要求13所述的方法,其中所述第二軸包括處理晶舟的中心軸,所述襯底裝載在所述處理晶舟中。
18、如權利要求13所述的方法,其中通過旋轉所述轉盤將所述第一旋轉賦予所述襯底。
19、如權利要求13所述的方法,其中通過使所述襯底不依賴于所述轉盤而獨立地旋轉將所述第二旋轉賦予所述襯底。
20、如權利要求13所述的方法,其中將所述襯底裝載在設置在所述轉盤上的處理晶舟內,并且其中通過使所述處理晶舟不依賴于所述轉盤而獨立地旋轉將所述第二旋轉賦予所述襯底。
21、一種裝置,包括:
處理腔;
容納在所述處理腔內的轉盤;
至少一個設置在所述轉盤上的處理晶舟,其中所述處理晶舟適于不依賴于所述轉盤而獨立旋轉;
至少一個噴灑柱,將其容納在所述處理腔內以分配化學制品;以及
至少一個機械裝置,其用于使所述處理晶舟不依賴于所述轉盤而獨立旋轉。
22、如權利要求21所述的裝置,還包括至少一個用于旋轉所述轉盤的機械裝置。
23、如權利要求21所述的裝置,其中用于旋轉所述處理晶舟的所述機械裝置包括適適于旋轉所述處理晶舟的電動機。
24、如權利要求21所述的裝置,其中用于旋轉所述處理晶舟的所述機械裝置利用磁鐵在所述處理晶舟內引起旋轉。
25、如權利要求22所述的裝置,其中用于旋轉所述轉盤的所述機械裝置包括適于旋轉所述轉盤的電動機。
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
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