[發明專利]相移掩模及其制造方法以及半導體元件的制造方法

無效

• 申請號: 200580043248.5
• 申請日: 2005-12-02
• 公開（公告）號: CN101080671A
• 公開（公告）日: 2007-11-28
• 發明（設計）人: 小西敏雄;小島洋介;根本悟;佐佐木淳;田中啟司
• 申請（專利權）人: 凸版印刷株式會社
• 主分類號: G03F1/08
• 分類號: G03F1/08;H01L21/027
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 胡建新;楊謙

1.一種相移掩模，具備透明基板、和形成在該透明基板上的遮光膜，在上述遮光膜上交替地形成有第1開口部和第2開口部，上述透明基板從上述第2開口部開始被凹入規定的深度，從而形成凹部，通過上述第1及第2開口部的透射光的相位交替地反轉，其特征在于，

根據上述遮光膜的上述第1開口部的開口端部和相鄰于上述第1開口部的第2開口部的開口端部之間的截距，設定上述透射光的相位差，

根據由下述方法設定的干式蝕刻條件，通過將上述透明基板從上述第2開口部開始凹入來形成上述凹部，該方法包括：(a)根據光學條件以及從上述透明基板的凹部向上述遮光膜之下的底切量及/或上述第2開口部及凹部的寬度的設定值的偏離量，求出各截距的最佳相位差，將該值換算為蝕刻深度，來計算最佳蝕刻深度的工序；(b)在形成有上述底切部的情況下，計算從對上述最佳相位差進行換算而得出的蝕刻深度減去底切量后的最佳干式蝕刻深度的工序；(c)比較由多個干式蝕刻條件得到的蝕刻深度數據與最佳干式蝕刻深度，選擇差最小的干式蝕刻條件的工序。

2.如權利要求1所述的相移掩模，其特征在于，在最佳干式蝕刻深度與上述差最小的蝕刻數據的差為1nm以上的情況下，通過從上述第2開口部開始對上述透明基板進行干式蝕刻，蝕刻深度比最佳干式蝕刻深度淺差的一半的量，來形成上述凹部。

3.如權利要求1所述的相移掩模，其特征在于，上述相位差的調節是通過根據截距調節干式蝕刻時間并修正相位差來進行的。

4.一種相移掩模，具備透明基板、和形成在該透明基板上的遮光膜，在上述遮光膜上交替地形成有第1開口部和第2開口部，上述透明基板從上述第2開口部開始被凹入規定的深度，從而形成凹部，通過上述第1及第2開口部的透射光的相位交替地反轉，其特征在于，

根據上述遮光膜的上述第1開口部的開口端部和相鄰于上述第1開口部的第2開口部的開口端部之間的截距，設定上述透射光的相位差，

上述相位差的調節是通過根據截距調節干式蝕刻時間并修正相位差來進行的，

根據由下述方法設定的干式蝕刻條件，通過將上述透明基板從上述第2開口部開始凹入來形成上述凹部，該方法包括：(a)根據光學條件以及從上述透明基板的凹部向上述遮光膜之下的底切量及/或上述第2開口部及凹部的寬度的設定值的偏離量，求出各截距的最佳相位差，將該值換算為蝕刻深度，來計算最佳蝕刻深度的工序；(b)在形成有上述底切部的情況下，計算從對上述最佳相位差進行換算而得出的蝕刻深度減去底切量后的最佳干式蝕刻深度的工序；(c)根據上述最佳干式蝕刻深度，劃分不同大小的多個截距部的工序；(d)對劃分的每個截距部，從各自的第2開口部開始將上述透明基板改變蝕刻時間地重復進行多次蝕刻的工序。

5.如權利要求4所述的相移掩模，其特征在于，在對劃分的每個截距部改變蝕刻時間地重復進行多次蝕刻的工序中，將具有與上述遮光膜的第2開口部對應的開口的抗蝕劑作為掩模，以不同的每個最佳干式蝕刻深度蝕刻上述透明基板。

6.如權利要求4所述的相移掩模，其特征在于，在所劃分的不同大小的多個截距部的每一個改變蝕刻時間地重復進行多次蝕刻的工序中，進行一次以上的下述步驟，直到成為最深的最佳蝕刻深度，該步驟包括：將上述透明基板從所有的截距部的第2開口部開始蝕刻到最佳干式蝕刻深度的最小深度；以及將覆蓋最佳干式蝕刻深度是最小深度的截距部的開口的抗蝕劑作為掩模，從沒有被抗蝕劑覆蓋的所有的截距部的第2開口部開始將上述透明基板蝕刻到比上述最小深度深的最佳蝕刻深度.