[發明專利]作為含硅光致抗蝕劑的墊層的低折射指數聚合物有效
| 申請號: | 200580043180.0 | 申請日: | 2005-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN101080669A | 公開(公告)日: | 2007-11-28 |
| 發明(設計)人: | 黃武松;S·伯恩斯;M·克加斯泰 | 申請(專利權)人: | 國際商業機器公司 |
| 主分類號: | G03C1/76 | 分類號: | G03C1/76 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 | 代理人: | 王健 |
| 地址: | 美國*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 作為 含硅光致抗蝕劑 墊層 折射 指數 聚合物 | ||
1.適合在多層光刻方法中用作平面化墊層的組合物,所述組合物包 含:乙烯基或丙烯酸酯聚合物,酸產生劑和交聯劑,所述聚合物包含至少 一個取代或未取代的萘或萘酚結構部分;
其中所述聚合物選自:
其中每個R1獨立地選自有機結構部分或鹵素;
A是單鍵或有機結構部分;
R2是氫或甲基;
每個X、Y和Z是0-7的整數;和
Y+Z是7或更少;
其中所述有機結構部分是選自線性或支化烷基、鹵化線性或支化烷 基、芳基、鹵化芳基、環狀烷基、和鹵化環狀烷基的取代或未取代的烴, 所述聚合物具有至少1000的重均分子量,
其中所述聚合物還包含具有飽和碳鍵的共聚單體,和其中所述具有 飽和碳鍵的共聚單體包含選自醇、氨基、亞氨基、羧酸和其混合物的活性 部位和其中所述具有飽和碳鍵的共聚單體包括乙烯基化合物、丙烯酸酯、 甲基丙烯酸酯、馬來酸酐、環狀烯烴、乙烯基醚和它們的混合物。
2.權利要求1的組合物,其中所述具有飽和碳鍵的共聚單體選自乙烯 基化合物、丙烯酸酯、馬來酸酐、環狀烯烴、乙烯基醚和它們的混合物。
3.權利要求1的組合物,其中所述聚合物還包含芳族共聚單體,其中 所述芳族共聚單體是包含選自以下的結構部分的乙烯基或丙烯酸酯單體: 取代或未取代的苯基、取代或未取代的羥苯基、取代或未取代的蒽、和取 代或未取代的羥基蒽。
4.權利要求1的組合物,其中所述聚合物還包含具有雙或三鍵的共聚 單體,其中所述具有雙或三鍵的共聚單體是包含選自烯烴、炔、氰基和腈 的結構部分的乙烯基或丙烯酸酯單體。
5.權利要求1的組合物,其中所述酸產生劑選自2,4,4,6-四溴環己二 烯酮、苯偶姻甲苯磺酸酯、2-硝基芐基甲苯磺酸酯和有機磺酸的其它的烷 基酯。
6.權利要求1的組合物,其中所述酸產生劑選自(三氟甲基磺酰氧基) -二環[2.2.1]庚-5-烯-2,3-二甲酰亞胺、鎓鹽、芳族重氮鹽、锍鹽、和N- 羥基酰胺或酰亞胺的磺酸酯。
7.權利要求1的組合物,其中所述酸產生劑為二芳基碘鎓鹽。
8.權利要求1的組合物,其中所述交聯劑選自含胺化合物、含環氧基 化合物、含至少兩個乙烯基醚基團的化合物、烯丙基取代的芳族化合物、 含至少兩個或更多個重氮萘醌磺酸酯基的化合物、和它們的混合物。
9.權利要求1的組合物,其中所述交聯劑選自四甲氧基甲基甘脲、甲 基丙基四甲氧基甲基甘脲和甲基苯基四甲氧基甲基甘脲。
10.權利要求1的組合物,其中所述交聯劑選自2,6-雙(羥甲基)- 對甲酚和具有以下結構的化合物:
11.權利要求1的組合物,其中所述交聯劑選自醚化氨基樹脂、甲基 化和丁基化的甘脲、雙環氧化合物和雙酚、和它們的組合物。
12.權利要求1的組合物,其中所述聚合物還包含含交聯用結構部分 的共聚單體。
13.權利要求12的組合物,其中所述交聯用結構部分選自含胺結構部 分、含環氧基結構部分、含乙烯基醚基團的結構部分、烯丙基取代的芳族 結構部分、含重氮萘醌磺酸酯基的結構部分、和它們的組合物。
14.權利要求1的組合物,其中所述聚合物還包含含氟結構部分。
15.權利要求14的組合物,其中所述含氟結構部分選自五氟芳基和三 氟甲基。
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