[發(fā)明專利]多孔全息膜

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200580043019.3
• 申請日: 2005-12-09
• 公開（公告）號: CN101080672A
• 公開（公告）日: 2007-11-28
• 發(fā)明（設計）人: C·M·范黑施;C·桑切斯;M·J·埃斯庫蒂;C·W·M·巴斯蒂安森;D·J·布勒爾
• 申請（專利權）人: 荷蘭聚合物研究所
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00;G03F7/038
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 程大軍

1.一種制備全息膜的方法，該方法包括：

-提供基材；

-將光致聚合組合物置于所述基材上，其中所述組合物包含：

-(i)具有高反應性的單體，

-(ii)具有低反應性的單體，

-(iii)非反應性材料，

-(iv)光敏聚合引發(fā)劑；

-將所述組合物曝光于亮暗區(qū)域的光圖案下以在該組合物曝光于明亮區(qū)域的部分中引發(fā)至少部分所述高反應性單體的聚合；和

-引發(fā)所述低反應性單體的聚合。

2.根據(jù)權利要求1的方法，還包括在聚合所述低反應性單體以后除去至少部分所述非反應性材料以在聚合的組合物中形成孔。

3.根據(jù)權利要求1或2的方法，其中所述光圖案為干涉圖案。

4.根據(jù)權利要求1-3中任一項的方法，其中所述低反應性單體的聚合是通過將所述可聚合組合物曝于引發(fā)所述低反應性單體聚合的光下而引發(fā)的。

5.根據(jù)權利要求1-4中任一項的方法，其中所述可聚合組合物包含熱引發(fā)劑，所述方法包括通過加熱所述可聚合組合物以激活所述熱引發(fā)劑來引發(fā)所述低反應性單體的聚合，從而引發(fā)了所述低反應性單體的聚合。

6.根據(jù)權利要求4或5的方法，其中所述可聚合組合物包含用于引發(fā)至少所述高反應性單體聚合的光敏自由基引發(fā)劑和用于引發(fā)至少所述低反應性單體聚合的自由基引發(fā)劑和/或陽離子試劑。

7.根據(jù)前述權利要求中任一項的方法，還包括填充至少部分所述孔以包含選自以下組中的官能化合物：液晶、有機和/或無機納米顆粒、熒光染料、吸收染料、電致發(fā)光化合物、導電材料、半導體材料及它們的任何組合。

8.根據(jù)前述權利要求中任一項的方法，其中所述高反應性單體包含單官能丙烯酸酯和/或多官能丙烯酸酯、單官能甲基丙烯酸酯和/或多官能甲基丙烯酸酯及它們的任何組合。

9.根據(jù)前述權利要求中任一項的方法，其中所述低反應性單體包含單官能環(huán)氧化合物和/或多官能環(huán)氧化合物及它們的任何組合。

10.一種通過權利要求1-9中任一項的方法得到的全息膜。

11.一種包含高反應性單體、低反應性單體、光引發(fā)劑和非反應性材料的光致聚合組合物。

12.包含高反應性單體、低反應性單體、光引發(fā)劑和非反應性材料的光致聚合組合物用于形成固體多孔全息膜的用途。

13.一種包含置于基材上的光致聚合組合物的光致聚合元件，其中所述光致聚合組合物包含高反應性單體、低反應性單體、光引發(fā)劑和非反應性材料。

14.一種包含聚合物膜的全息膜，其中在第一折射率和第二折射率之間周期性地空間調制所述聚合物膜的折射率，所述第一折射率高于所述第二折射率，所述聚合物膜具有在第一孔隙率和第二孔隙率間周期性空間調制的孔隙率，所述第一孔隙率不同于第二孔隙率，并且所述聚合物膜包含至少第一和第二聚合單體，其中在第一和第二濃度間周期性的空間調制第一聚合單體的濃度，其中所述第一濃度高于所述第二濃度，其中所述第一折射率、第一孔隙率和第一濃度空間一致，并且其中所述第二折射率、第二孔隙率和第二濃度空間一致。

15.根據(jù)權利要求14的全息膜，其中所述第一孔隙率與第二孔隙率之差高于1％。

16.根據(jù)權利要求14或15的全息膜，其平均孔徑為1-100nm。

17.根據(jù)權利要求14-16中任一項的全息膜，其中所述第一折射率和所述第二折射率之差大于0.02。

18.根據(jù)權利要求17的全息膜，其中所述第一折射率和所述第二折射率之差大于0.04。

19.根據(jù)權利要求14-18中任一項的全息膜，其中所述第一聚合單體選自聚合單官能和多官能的丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯。

20.根據(jù)權利要求14-19中任一項的全息膜，其中所述第二聚合單體選自聚合單官能的和多官能的環(huán)氧化合物。

21.根據(jù)權利要求14-20中任一項的全息膜，在聚合物層中的孔至少部分由選自液晶、熒光染料、吸收染料、電致發(fā)光化合物、導電材料、半導體材料及它們的任何組合的光學功能化合物填充。