[發明專利]群集的自動對準

有效

• 申請號: 200580042257.2
• 申請日: 2005-11-30
• 公開（公告）號: CN101099125A
• 公開（公告）日: 2008-01-02
• 發明（設計）人: 瑟吉·阿納托利耶維奇·戈羅別茨;艾倫·戴維·貝內特
• 申請（專利權）人: 桑迪士克股份有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 劉國偉

技術領域

本發明一般而言涉及非易失性存儲器系統的作業，且更具體而言，涉及這些存儲器系統內的數據處理。?

背景技術

目前，存在許多種成功得到商業應用的非易失性存儲器產品，尤其是小形狀因子卡形式的非易失性存儲器產品，其采用形成于一個或一個以上集成電路芯片上的快閃EEPROM(電子可擦除可編程只讀存儲器)單元陣列。通常(但未必盡然)在單獨集成電路芯片上的存儲器控制器介接以可移除方式連接有所述卡的主機，并控制存儲器陣列在所述卡內的運作。此控制器通常包含微處理器、某種非易失性只讀存儲器(ROM)、易失性隨機存取存儲器(RAM)及一個或一個以上專用電路，例如一個可在編程及讀取數據期間在數據經過控制器時根據數據計算出糾錯碼(ECC)的專用電路。某些市面出售的卡為：CompactFlash^TM(CF)卡、多媒體卡(MMC)、安全數字(SD)卡、個人標簽(P-Tag)及存儲棒卡。主機包含個人計算機、筆記本計算機、個人數字助理(PDA)、各種數據通信裝置、數字攝像機、蜂窩式電話、可攜式聲訊播放器、汽車音響系統、及相似類型的設備。于某些系統中，可移除式卡不包含控制器且主機控制存儲器陣列在所述卡內的運作。此類型存儲器系統的實例包含智慧型媒體卡及xD卡。因此，可通過所述卡中控制器上的軟件或通過主機中的控制軟件來達成對存儲器陣列的控制。除存儲器卡實施方案外，此類型的存儲器也可嵌裝于各種類型的主機系統內。于可移除式及嵌入式兩種應用中，可根據由存儲器控制軟件實施的存儲方案將主機數據存儲于存儲器陣列中。?

有兩種通用存儲單元架構已付諸商業應用：NOR及NAND。于典型的NOR陣列中，存儲單元連接于沿列方向延伸的毗鄰位線源極與漏極擴散之間以使控制柵連接至沿單元行延伸的字線。存儲單元包含定位于所述源極與漏極之間的單元通道區域至少一部分上方的至少一個存儲元件。存儲元件上經編程的電荷電平因此控制單元的運作特征，因而可通過將適宜的電壓施加至尋址存儲單元來讀取所述單元。此類單元的實例、其在存儲器系統中的應用及其制造方法在第5,070,032、5,095,344、5,313,421、5,315,541、5,343,063、5,661,053及6,222,762號美國專利中給出。?

NAND陣列則利用由如下構成的串聯串：多于兩個(例如16個或32個)存儲單元與一個或一個以上在個別位線與參考電位之間的選擇晶體管連接在一起以形成單元?列。字線延伸跨越大量的這種列內的單元。在編程期間，通過如下方式來讀取及驗證列中的個別單元：強導通所述串中的剩余單元，以使流經串的電流取決于尋址單元中所存儲電荷的電平。NAND架構陣列的實例及其作為存儲器系統的部分的運作可在美國專利第5,570,315、5,774,397、6,046,935及6,522,580號中找到。?

上文所提及專利中所論述的當前快閃EEPROM陣列的電荷存儲元件為最常用的導電性浮柵，其通常由經導電摻雜的多晶硅材料形成。適用于快閃EEPROM系統的另一類型的存儲單元利用非導電性電介材料代替導電性浮柵以便以非易失性方式來存儲電荷。其中，由氧化硅、氮化硅及氧化硅(ONO)形成的三層式電介材料夾于導電性控制柵與存儲單元通道上方半導電性襯底的表面之間。通過如下方式編程所述單元：將電子從單元通道注入氮化物內，電子在氮化物中被捕集并存儲于有限的區域中，且所述單元是通過將熱電洞注入氮化物內而被擦除。數種采用電介存儲元件的特定單元結構及陣列闡述于Harari等人的第2003/0109093號美國專利公開案中。?