[發(fā)明專利]反射型光掩模坯料、反射型光掩模及使用它的半導(dǎo)體裝置的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200580042178.1
• 申請(qǐng)日: 2005-12-06
• 公開（公告）號(hào): CN101073142A
• 公開（公告）日: 2007-11-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金山浩一郎;松尾正;西山泰史
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 凸版印刷株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/027
• 分類號(hào): H01L21/027;G03F1/16
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司
• 代理人: 陳建全

1、一種反射型光掩模坯料，其特征在于，所述反射型光掩模坯料具有：

基板、

設(shè)置在該基板上的多層反射膜、

包含設(shè)置在該多層反射膜上且含有鉭和硅的第1光吸收層、以及層疊在該第1光吸收層上且含有氮和氧中的至少一種、鉭和硅的第2光吸收層的光吸收性疊層。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的反射型光掩模坯料，其特征在于，所述第2光吸收層在190～260nm的波長(zhǎng)的消光系數(shù)小于1，且所述第2光吸收層的方塊電阻小于50MΩ/□。

3、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的反射型光掩模坯料，其特征在于，所述第2光吸收層含有鉭、硅和氮，且含有2～7at％的鉭、40～60at％的硅和6～15at％的氮。

4、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的反射型光掩模坯料，其特征在于，所述第2光吸收層含有鉭、硅和氧，鉭的含量為30～40at％，鉭與氧的原子比為1∶1～1∶2。

5、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的反射型光掩模坯料，其特征在于，所述第2光吸收層含有鉭、硅、氧和氮，鉭的含量為20～40at％，鉭與氧的原子比為3∶2～9∶1，鉭與氮的原子比為1∶2～3∶2。

6、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的反射型光掩模坯料，其特征在于，所述第2光吸收層含有鉭、硅和氧，鉭的含量為40～90at％，鉭與氧的原子比在3∶5～5∶1的范圍。

7、根據(jù)權(quán)利要求1所述的反射型光掩模坯料，其特征在于，所述第2光吸收層的表面具有0.6nmRms以下的表面粗糙度。

8、根據(jù)權(quán)利要求1所述的反射型光掩模坯料，其特征在于，所述第1光吸收層含有6～15at％的硅。

9、根據(jù)權(quán)利要求1所述的反射型光掩模坯料，其特征在于，所述第1光吸收層和所述第2光吸收層為無(wú)定形的。

10、根據(jù)權(quán)利要求1所述的反射型光掩模坯料，其特征在于，所述光吸收性疊層在遠(yuǎn)紫外線區(qū)域的反射率為13％以下。

11、一種反射型光掩模，其特征在于，所述反射型光掩模是對(duì)權(quán)利要求1～10中任一項(xiàng)所述的反射型光掩模坯料的光吸收性疊層進(jìn)行圖案加工而得到的，所述反射型光掩模坯料具有：

基板、

設(shè)置在該基板上的多層反射膜、

包含設(shè)置在該多層反射膜上且含有鉭和硅的第1光吸收層、以及層疊在該第1光吸收層上且含有氮和氧中的至少一種、鉭和硅的第2光吸收層的光吸收性疊層。

12、一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其包括下述工序：對(duì)權(quán)利要求11所述的反射型光掩模照射極紫外光，利用其反射光對(duì)設(shè)置在半導(dǎo)體基板上的極紫外光用抗蝕劑層進(jìn)行曝光，從而轉(zhuǎn)印圖案。