[發明專利]在半導體襯底上制造外延層的方法及用這種方法制造的器件

有效

• 申請號: 200580041921.1
• 申請日: 2005-11-29
• 公開（公告）號: CN101073148A
• 公開（公告）日: 2007-11-14
• 發明（設計）人: 菲利浦·默尼耶－貝拉德;亨特里希·G·A·赫伊津
• 申請（專利權）人: 皇家飛利浦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/316
• 分類號: H01L21/316;H01L21/265
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 陳瑞豐

1.一種制造半導體產品的方法，包括步驟：

提供半導體襯底；

在所述半導體襯底的至少一部分上提供Si-X層，所述Si-X層具有厚度和表示預定原子種類的X；

向所述半導體襯底的所述至少一部分提供具有n型摻雜劑材料并且具有大于所述厚度的深度的摻雜層，在所述深度和所述厚度之間的位置形成掩埋層；

執行氧化作用以在所述半導體襯底內部形成具有二氧化硅/硅界面的二氧化硅層，使得在所述二氧化硅/硅界面處通過所述二氧化硅層將X原子和n型原子推入到所述半導體襯底中，選擇所述X原子使得它們在所述二氧化硅/硅界面處具有比所述n型原子更高的離析性質；

去除所述二氧化硅層；

在所述半導體襯底上生長硅外延層。

2.一種制造硅半導體襯底的方法，包括步驟：

提供半導體襯底；

向所述半導體襯底的至少一部分提供具有n型摻雜劑材料并且具有深度的摻雜層；

在所述半導體襯底的所述至少一部分上提供Si-X層，具有小于所述深度的厚度，X表示預定的原子種類，在所述第一深度和所述厚度之間的位置形成掩埋層；

執行氧化動作以在所述半導體襯底內部形成具有二氧化硅/硅界面的二氧化硅層，使得在所述二氧化硅/硅界面處通過所述二氧化硅層將X原子和n型原子推入到所述半導體襯底中，選擇所述X原子使得它們在所述二氧化硅/硅界面處具有比所述n型原子更高的離析性質；

去除所述二氧化硅層；

在所述半導體襯底上生長硅外延層。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其中，所述X原子種類包括Ge。

4.根據權利要求1或2所述的方法，其中，所述n型摻雜劑材料是As和P的至少一種。

5.根據權利要求1或2所述的方法，其中，向所述半導體襯底的所述至少一部分提供摻雜層的步驟包括子步驟：

在所述半導體襯底的所述至少一部分上，提供預定厚度的絕緣層；

通過所述絕緣層執行所述n型摻雜劑材料的注入動作以產生所述摻雜層；

去除所述絕緣層。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，所述絕緣層包括二氧化硅。

7.根據權利要求1或2所述的方法，其中，所述Si-X層包括預定濃度的C。

8.根據權利要求1或2所述的方法，其中，所述外延層包括比所述掩埋層中的摻雜劑濃度低的濃度的n型摻雜劑。

9.根據權利要求1或2所述的方法，包括步驟：向所述半導體襯底提供至少一個其它部分，該部分具有p型摻雜層和所述掩埋層的頂部上的p型外延層。

10.一種半導體器件，通過根據任一前述權利要求所述的方法制造，其中在硅外延層中形成雙極型晶體管。