[發(fā)明專利]作為小型顏色可變光源的單片LED

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200580041872.1
• 申請(qǐng)日: 2005-11-28
• 公開（公告）號(hào): CN101073155A
• 公開（公告）日: 2007-11-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: J·P·M·安森斯;C·G·A·霍倫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 皇家飛利浦電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/15
• 分類號(hào): H01L27/15
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 龔海軍;劉紅

1.一種顏色變化的發(fā)光裝置，包括：

一個(gè)形成在一個(gè)高阻抗基板(10)上的多個(gè)發(fā)光二極管(2，3，4)的陣列(1)，所述陣列至少包括設(shè)置成提供第一顏色光的至少一個(gè)發(fā)光二極管(2)的第一組、設(shè)置成提供第二顏色光的至少一個(gè)發(fā)光二極管(3)的第二組和設(shè)置成提供第三顏色光的至少一個(gè)發(fā)光二極管(4)的第三組；和

一個(gè)在其上設(shè)置所述陣列(1)的下底座(5)，所述下底座設(shè)置有電路(21，22，23)，所述第一、第二和第三組分別地連接到該電路，特征在于所述陣列中的每個(gè)發(fā)光二極管具有到所述電路的單獨(dú)連接；

所述第一、第二和第三組中的至少一個(gè)組包括通過(guò)所述電路串聯(lián)地互連的至少兩個(gè)發(fā)光二極管；和

所述電路包括外部連接器(7，17，8，18，9，19)，用于獨(dú)立地尋址所述至少第一、第二和第三組的至少之一。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的裝置，其中所述電路包括第一部分(22)和第二部分(23)，所述第一部分連接到所述可獨(dú)立地尋址的所述至少第一、第二和第三組的至少之一，且與所述第二部分電絕緣。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的裝置，其中所述下底座是一個(gè)多層下底座，所述電路(21，22，23)部分地設(shè)置在下底座的第一層(31)上以及部分地設(shè)置在下底座的第二層(32)上。

4.根據(jù)權(quán)利要求2的裝置，其中所述電路的所述第一部分(22)設(shè)置在下底座的第一層(31)上，以及所述電路的所述第二部分(23)設(shè)置在下底座的第二層(32)上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1的裝置，其中給所述第一組的至少一個(gè)發(fā)光二極管提供第一變換波長(zhǎng)化合物，該第一變換波長(zhǎng)化合物設(shè)置成將由所述第一組的所述至少一個(gè)發(fā)光二極管發(fā)射的光變換成所述第一顏色的光，給所述第二組的至少一個(gè)發(fā)光二極管提供第二變換波長(zhǎng)化合物，該第二變換波長(zhǎng)化合物設(shè)置成將由所述第二組的所述至少一個(gè)發(fā)光二極管發(fā)射的光變換成所述第二顏色的光。

6.根據(jù)權(quán)利要求5的裝置，其中由所述陣列的多個(gè)發(fā)光二極管發(fā)射的光是藍(lán)色光，以及其中所述第一顏色是綠色，所述第二顏色是紅色。

7.根據(jù)權(quán)利要求5的裝置，其中所述第三組的至少一個(gè)發(fā)光二極管設(shè)置有第三變換波長(zhǎng)化合物，該第三變換波長(zhǎng)化合物設(shè)置成將由所述第三組的所述至少一個(gè)發(fā)光二極管發(fā)射的光變換成所述第三顏色的光。

8.根據(jù)權(quán)利要求7的裝置，其中由所述陣列的多個(gè)發(fā)光二極管發(fā)射的光是紫外光，以及其中所述第一顏色是綠色，所述第二顏色是紅色，所述第三顏色是藍(lán)色。

9.根據(jù)權(quán)利要求7-8的任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述第一變換波長(zhǎng)化合物沉積在所述第一組的所述至少一個(gè)發(fā)光二極管上，所述第二變換波長(zhǎng)化合物沉積在所述第二組的所述至少一個(gè)發(fā)光二極管上，所述第三變換波長(zhǎng)化合物沉積在所述第三組的所述至少一個(gè)發(fā)光二極管上。

10.根據(jù)權(quán)利要求7-8的任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述第一變換波長(zhǎng)化合物設(shè)置在布置于所述陣列上的一個(gè)層的第一區(qū)域中，所述第一區(qū)域覆蓋所述第一組的所述至少一個(gè)發(fā)光二極管的至少一部分，所述第二變換波長(zhǎng)化合物設(shè)置在所述層的第二區(qū)域中，所述第二區(qū)域覆蓋所述第二組的所述至少一個(gè)發(fā)光二極管的至少一部分，所述第三變換波長(zhǎng)化合物設(shè)置在所述層的第三區(qū)域中，所述第三區(qū)域覆蓋所述第三組的所述至少一個(gè)發(fā)光二極管的至少一部分。