[發明專利]多層線柵偏振器

無效

• 申請號: 200580041840.1
• 申請日: 2005-12-05
• 公開（公告）號: CN101073024A
• 公開（公告）日: 2007-11-14
• 發明（設計）人: R·T·珀金斯;C·成－原;D·P·漢森;E·加德納
• 申請（專利權）人: 莫克斯泰克公司
• 主分類號: G02B5/30
• 分類號: G02B5/30;G02B5/18
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所
• 代理人: 楊曉光;于靜

1.一種用于使光偏振的線柵偏振器器件，包括：

a)基底；

b)至少兩個薄膜層，設置在所述基底上，所述薄膜層具有彼此不同的折射率；

c)所述兩個薄膜層中的至少一個的折射率大于所述基底的折射率；以及

d)線柵層，設置在所述至少兩個薄膜層之上，所述線柵層包括其長度大于所述光的波長且其周期小于所述光的半波長的細長金屬基元的陣列。

2.根據權利要求1的器件，其中所述薄膜層中的一個包括介電柵，所述介電柵包括非金屬基元的陣列，所述陣列的所述非金屬和金屬基元被取向為彼此基本上平行，并且所述陣列具有基本上相等的周期。

3.根據權利要求1的器件，還包括設置在所述線柵層之上的至少一個薄膜層；所述至少一個其它的薄膜層包括介電柵，所述介電柵包括非金屬基元的陣列，所述陣列的所述非金屬和金屬基元被取向為彼此基本上平行，并且所述陣列具有基本上相等的周期。

4.一種用于使光偏振的線柵偏振器器件，包括：

a)具有折射率的基底；

b)至少一個薄膜層，設置在所述基底上，所述薄膜層的折射率大于所述基底的折射率；以及

c)線柵層，設置在所述至少一個薄膜層之上，所述線柵層包括其長度大于所述光的波長且其周期小于所述光的半波長的細長金屬基元的陣列。

5.根據權利要求4的器件，其中所述至少一個薄膜層包括介電柵，所述介電柵包括非金屬基元的陣列，所述陣列的所述非金屬和金屬基元被取向為彼此基本上平行，并且所述陣列具有基本上相等的周期。

6.根據權利要求4的器件，還包括設置在所述線柵層之上的至少一個其它的薄膜層；所述至少一個其它的薄膜層包括介電柵，所述介電柵包括非金屬基元的陣列，所述陣列的所述非金屬和金屬基元被取向為彼此基本上平行，并且所述陣列具有基本上相等的周期。

7.一種用于使光偏振的線柵偏振器器件，包括：

a)基底；

b)線柵層，設置在所述基底之上，所述線柵層包括其長度大于所述光的波長且其周期小于所述光的半波長的細長金屬基元的陣列；

c)介電層，設置在所述線柵層之上，所述介電層包括非金屬基元的陣列；以及

d)至少一個薄膜層，設置在所述線柵層與所述介電層之間。

8.根據權利要求7的器件，還包括設置在所述基底與所述線柵層之間的至少一個薄膜層；所述至少一個薄膜層包括具有彼此不同的折射率的多個薄膜層。

9.根據權利要求7的器件，還包括在所述基底與所述柵極層之間的其折射率大于所述基底的折射率的至少一個薄膜層。

10.根據權利要求7的器件，還包括在所述基底與所述線柵層之間的包括非金屬基元的陣列的介電柵，所述陣列的所述非金屬和金屬基元被取向為彼此基本上平行，并且所述陣列具有基本上相等的周期。

11.一種用于使光偏振的線柵偏振器器件，包括：

a)基底；

b)薄膜層的疊層，設置在所述基底之上，并跨過所述基底連續地延伸；

c)所述薄膜層中的至少一個在結構和材料上是均勻的；

d)所述薄膜層中的至少一個包括其長度大于所述光的波長且其周期小于所述光的半波長的細長金屬基元的線柵陣列；以及

e)所述薄膜層中的至少一個包括非金屬基元的介電陣列。

12.根據權利要求11的器件，其中所述陣列的所述非金屬和金屬基元被取向為彼此基本上平行，并且所述陣列具有基本上相等的周期。

13.根據權利要求11的器件，還包括設置在所述基底與所述線柵陣列之間的至少一個薄膜層；所述至少一個薄膜層包括具有彼此不同的折射率的多個薄膜層。

14.根據權利要求11的器件，其中在所述基底與所述柵極層之間的所述薄膜層中的至少一個的折射率大于所述基底的折射率。

15.根據權利要求11的器件，其中所述陣列的所述非金屬和金屬基元被取向為彼此基本上平行，并且所述陣列具有基本上相等的周期。