[發(fā)明專利]氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200580041801.1 | 申請日： | 2005-12-05 |
| 公開（公告）號： | CN101073160A | 公開（公告）日： | 2007-11-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李昔憲 | 申請（專利權(quán)）人： | LG伊諾特有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 蔡勝有;劉繼富 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 氮化物 半導(dǎo)體 發(fā)光 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，包含：
第一氮化物半導(dǎo)體層；
在所述第一氮化物半導(dǎo)體層上形成的有源層；和
在所述有源層上形成的“C(碳)”摻雜的第二氮化物半導(dǎo)體層；
其中所述“C”摻雜的第二氮化物半導(dǎo)體層是通過δ摻雜形成的。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述第一氮化物半導(dǎo)體層是第一電極接觸層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述“C”摻雜的第二氮化物半導(dǎo)體層是第二電極接觸層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，還包含：
襯底；
在所述襯底上形成的緩沖層；和
在所述緩沖層上形成銦摻雜的氮化物半導(dǎo)體層，其中在所述第一氮化物半導(dǎo)體層下順序形成所述襯底、所述緩沖層和所述銦摻雜的氮化物半導(dǎo)體層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述緩沖層具有選自AlInN/GaN的堆疊結(jié)構(gòu)、InGaN/GaN的超晶格結(jié)構(gòu)、InxGa1-xN/GaN的堆疊結(jié)構(gòu)、和AlxInyGa1-(x+y)N/InxGa1-xN/GaN的堆疊結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述第一氮化物半導(dǎo)體層形成為AlGaN/n-GaN的超晶格結(jié)構(gòu)或Si和In摻雜的n-GaN層并堆疊至少一次。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述AlGaN/n-GaN的超晶格結(jié)構(gòu)具有260～的一個周期性厚度。
8.根據(jù)權(quán)利要求6的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中構(gòu)成所述第一氮化物半導(dǎo)體層的所述AlGaN層是未摻雜層并且形成10～的厚度，并且具有5％～30％的Al組分。
9.根據(jù)權(quán)利要求6的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述Si和In摻雜的n-GaN層具有1～4μm的厚度。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述“C”摻雜的第二氮化物半導(dǎo)體層包含未摻雜的GaN層和通過δ摻雜形成的“C?”摻雜的p-GaN層，TMGa?MO源的劑量是變化的，一對所述未摻雜的GaN層和所述“C”摻雜的p-GaN層形成一個周期，并且所述“C?”摻雜的第二氮化物半導(dǎo)體層重復(fù)生長至少一個周期。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中當(dāng)所述“C”摻雜的p-GaN層生長時，所述TMGa?MO源的劑量增加超過兩倍。
12.根據(jù)權(quán)利要求10的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中當(dāng)引入所述“C”摻雜的第二氮化物半導(dǎo)體層的源時，進(jìn)一步引入NH3。
13.根據(jù)權(quán)利要求1的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述“C”摻雜的第二氮化物半導(dǎo)體層包含“C”摻雜的p-GaN層，其中至少改變TMGa?MO源的劑量。
14.根據(jù)權(quán)利要求1的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中通過TMGa?MO源的熱離解產(chǎn)生摻雜到所述“C”摻雜的第二氮化物半導(dǎo)體層中的碳。
15.根據(jù)權(quán)利要求1的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述“C?”摻雜的第二氮化物半導(dǎo)體層總厚度為50～
16.根據(jù)權(quán)利要求1的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，還包含在所述第一氮化物半導(dǎo)體層和所述有源層之間形成并且具有小于5％銦含量的低摩爾氮化物半導(dǎo)體層。
17.根據(jù)權(quán)利要求1的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述有源層形成為由阱層和勢壘層組成的單量子阱層或者多量子阱層，并且在所述阱層和所述勢壘層之間還形成SiNx簇層。
18.根據(jù)權(quán)利要求1的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，還包含在所述“C”摻雜的第二氮化物半導(dǎo)體層上形成用作第二電極接觸層的第三氮化物半導(dǎo)體層。
19.根據(jù)權(quán)利要求18的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述第三氮化物半導(dǎo)體層由具有SG(超梯度)結(jié)構(gòu)的n-InGaN層形成，在所述SG結(jié)構(gòu)中銦含量逐漸變化。
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