[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 200580041109.9
• 申請日: 2005-11-28
• 公開（公告）號: CN101069285A
• 公開（公告）日: 2007-11-07
• 發明（設計）人: 安部寬子;湯川干央;野村亮二;瀨尾哲史;山崎舜平
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L27/10
• 分類號: H01L27/10;H01L27/28;H01L51/05
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王以平

1.一種半導體器件，包括：

具有包含多個存儲單元的存儲單元陣列的存儲器；

用于控制所述存儲器的電路；

天線；

在第一方向上延伸的位線；

在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的字線；

設置在所述位線與所述字線之間的材料層，其中所述材料層的相變不可逆地發生，

其中，

所述位線與所述字線的至少一個具有透光性，

所述存儲器具有識別表面，利用該識別表面由光學讀出裝置讀出所記錄的信息。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，

還包括核對裝置，用于將使用無線信號讀出記錄在所述存儲器中的數據而得到的第一數據與通過使用光學讀出裝置從所述存儲器的所述識別表面讀出數據而得到的第二數據進行核對。

3.一種半導體器件，包括：

具有包含多個存儲單元的存儲單元陣列的存儲器；

用于控制所述存儲器的電路；

天線；

在第一方向上延伸的位線；

在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的字線，

設置在所述位線與所述字線之間的材料層，其中所述材料層的相變不可逆地發生，

其中，

所述位線與所述字線中的至少一個具有透光性，

所述存儲器具有由多個不同讀出裝置讀出的一個記錄數據。

4.根據權利要求1或3所述的半導體器件，其中，

所述材料層的相通過光照射而從第一狀態改變到第二狀態，從而使所述位線與所述字線之間的電阻發生改變。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，

所述材料層的相通過光照射而從第一狀態改變到第二狀態，并且該相變可以在所述識別表面讀出。

6.根據權利要求1或3所述的半導體器件，其中，

所述用于控制所述存儲器的電路包含薄膜晶體管。

7.根據權利要求1或3所述的半導體器件，

還包括具有薄膜晶體管的電路，其與所述天線電連接。

8.根據權利要求1或3所述的半導體器件，其特征在于：

所述用于控制所述存儲器的電路、和與所述天線電連接的電路形成在公共基底材料上。

9.根據權利要求1或3所述的半導體器件，其中，

所述半導體器件由基底材料和密封材料密封，所述基底材料和所述密封材料中的至少一個具有透光性。

10.根據權利要求1或3所述的半導體器件，其中，

所述半導體器件插在基底材料與密封材料之間，所述基底材料和所述密封材料包括樹脂。