[發(fā)明專(zhuān)利]用于為互連焊盤(pán)提供結(jié)構(gòu)支撐同時(shí)允許信號(hào)傳導(dǎo)的方法和裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200580040951.0 | 申請(qǐng)日: | 2005-11-30 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101167170A | 公開(kāi)(公告)日: | 2008-04-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 凱文·J·埃斯;蘇珊·H·唐尼;詹姆斯·W·米勒;楊俊才 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 飛思卡爾半導(dǎo)體公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/44 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/44;H01L23/48;H01L23/52;H01L29/40 |
| 代理公司: | 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人: | 穆德駿;黃啟行 |
| 地址: | 美國(guó)得*** | 國(guó)省代碼: | 美國(guó);US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 互連 提供 結(jié)構(gòu) 支撐 同時(shí) 允許 信號(hào) 傳導(dǎo) 方法 裝置 | ||
1.一種用于為互連焊盤(pán)提供結(jié)構(gòu)支撐的方法,所述方法包括:
提供基板;
在基板上面提供第一金屬層,所述第一金屬層具有多個(gè)開(kāi)口;
在第一金屬層上面提供第一電絕緣層;
在第一電絕緣層上面提供第二金屬層,所述第二金屬層具有多個(gè)開(kāi)口;
在第二金屬層上面提供互連焊盤(pán),所述互連焊盤(pán)定義了互連焊盤(pán)區(qū)域;
通過(guò)針對(duì)第一金屬層和第二金屬層的邏輯運(yùn)算創(chuàng)建物理版圖形狀;
確定X值,其是互連焊盤(pán)區(qū)域中的物理版圖形狀的金屬密度;并且
使用X值確定第一金屬層的多個(gè)開(kāi)口同第二金屬層的多個(gè)開(kāi)口是否存在充分對(duì)準(zhǔn),用于充分的結(jié)構(gòu)支撐。
2.如權(quán)利要求1所述的方法,進(jìn)一步包括:
要求X值小于或等于預(yù)定閾值。
3.如權(quán)利要求2所述的方法,其中預(yù)定閾值包括0.85。
4.如權(quán)利要求2所述的方法,其中預(yù)定閾值包括范圍0.80~0.85,含端點(diǎn)值。
5.如權(quán)利要求2所述的方法,其中預(yù)定閾值包括范圍0.70~0.95,含端點(diǎn)值。
6.如權(quán)利要求1所述的方法,進(jìn)一步包括:
在第二金屬層上面提供第二電絕緣層;并且
提供在第二電絕緣層和互連焊盤(pán)之間安置的第三金屬層,所述第三金屬層具有多個(gè)開(kāi)口。
7.如權(quán)利要求6所述的方法,其中第一電絕緣層和第二電絕緣層包括相同的材料。
8.如權(quán)利要求1所述的方法,其中第一電絕緣層包括電介質(zhì)。
9.如權(quán)利要求1所述的方法,其中第一電絕緣層具有小于4的介電常數(shù)。
10.如權(quán)利要求1所述的方法,其中第一電絕緣層具有小于80千兆帕斯卡的模量值。
11.如權(quán)利要求1所述的方法,其中基本上通過(guò)第一電絕緣層填充第一金屬層中的多個(gè)開(kāi)口和第二金屬層中的多個(gè)開(kāi)口。
12.如權(quán)利要求1所述的方法,其中第一金屬層和第二金屬層分別具有關(guān)于第一金屬層和第二金屬層的各自區(qū)域的范圍為20~80%的物理金屬密度。
13.如權(quán)利要求1所述的方法,進(jìn)一步包括:
提供通過(guò)第一電絕緣層的一個(gè)或多個(gè)過(guò)孔,用于將至少一部分第一金屬層電氣連接到至少一部分第二金屬層。
14.如權(quán)利要求1所述的方法,進(jìn)一步包括:
提供置于互連焊盤(pán)和第二金屬層之間的鈍化層。
15.如權(quán)利要求1所述的方法,其中在互連焊盤(pán)下面的基板中形成至少一個(gè)器件。
16.一種在互連焊盤(pán)區(qū)域中形成的互連焊盤(pán)結(jié)構(gòu),包括:
基板,具有在其中形成的半導(dǎo)體器件;和
多個(gè)傳導(dǎo)層,每個(gè)傳導(dǎo)層在互連焊盤(pán)區(qū)域中位于基板上面,并且同一個(gè)或多個(gè)低模量介電材料接觸,多個(gè)傳導(dǎo)層是通過(guò)互連焊盤(pán)區(qū)域的預(yù)定部分上的垂直對(duì)準(zhǔn)開(kāi)口形成的,足以提供關(guān)于互連焊盤(pán)結(jié)構(gòu)的機(jī)械支撐。
17.如權(quán)利要求16所述的互連焊盤(pán)結(jié)構(gòu),進(jìn)一步包括:
介電層,其位于多個(gè)傳導(dǎo)層中的最上面的傳導(dǎo)層上面,所述介電層包括在所述介電層區(qū)域中不具有金屬密度的區(qū)域,由此沒(méi)有金屬穿過(guò)所述介電層的任何開(kāi)口,所述區(qū)域占互連焊盤(pán)區(qū)域的至少50%;和
傳導(dǎo)互連焊盤(pán)層,其位于所述介電層上面。
18.一種在互連焊盤(pán)區(qū)域中形成的互連焊盤(pán)結(jié)構(gòu),包括:
基板和在功能上使用所述基板的有源電路;
多個(gè)金屬互連層,其位于所述基板上面,所述多個(gè)金屬互連層與一個(gè)或多個(gè)低模量介電材料接觸,并且通過(guò)互連焊盤(pán)區(qū)域的預(yù)定部分中的垂直對(duì)準(zhǔn)開(kāi)口形成;
最上面的金屬互連層,其位于多個(gè)金屬互連層上面;
絕緣層,其位于最上面的金屬互連層上面,并且具有一個(gè)或多個(gè)開(kāi)口,用于暴露最上面的金屬互連層的第一電導(dǎo)體;和
傳導(dǎo)焊盤(pán),其在絕緣層上面形成,并且通過(guò)填充一個(gè)或多個(gè)開(kāi)口連接到第一電導(dǎo)體,其中最上面的金屬互連層的第二電導(dǎo)體僅通過(guò)絕緣層同傳導(dǎo)焊盤(pán)電氣隔離,并且所述第二電導(dǎo)體不直接連接到傳導(dǎo)焊盤(pán),第一電導(dǎo)體和第二電導(dǎo)體由介電材料分隔,所述介電材料具有的模量大于一個(gè)或多個(gè)低模量介電材料的模量。
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H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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