[發明專利]用于制造薄膜半導體芯片的方法

有效

• 申請號: 200580040882.3
• 申請日: 2005-09-23
• 公開（公告）號: CN101065852A
• 公開（公告）日: 2007-10-31
• 發明（設計）人: A·普洛斯爾;W·斯泰恩
• 申請（專利權）人: 奧斯蘭姆奧普托半導體有限責任公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L21/285
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 盧江;魏軍

1.一種用于制造基于III/V化合物半導體材料的適合于產生電磁輻射的薄膜半導體芯片的方法，具有以下步驟：

-將適合于產生電磁輻射的有源層序列(1)施加在生長襯底(2)上，所述有源層序列(1)具有面向所述生長襯底(2)的正面(12)和背離所述生長襯底(2)的背面(11)，

-將至少一個介電層(3)作為反射層序列(51)的一部分施加到所述有源層序列(1)的背面(11)上，

-借助激光將能量引入到所述介電層(3)的所定義的有限的體積區域(8)中，使得在這些體積區域中構成至少一個朝向所述有源層序列(1)的背面(11)的開口(4)，

-施加至少一個金屬層(5)作為所述反射層序列(51)的另外的部分，使得所述開口(4)利用金屬材料至少部分地被填充，并且構成至少一個朝向所述有源層序列(1)的背面(11)的背面導電接觸部位(6)，

-將載體(7)施加在所述反射層序列(51)上，以及

-去除所述生長襯底(2)。

2.根據權利要求1的方法，其中對所述背面導電接觸部位(6)進行退火。

3.根據權利要求2的方法，其中借助激光對所述背面導電接觸部位(6)進行退火。

4.一種用于制造基于III/V化合物半導體材料的適合于產生電磁輻射的薄膜半導體芯片的方法，具有以下步驟：

-將適合于產生電磁輻射的有源層序列(1)施加在生長襯底(2)上，所述有源層序列(1)具有面向所述生長襯底(2)的正面(12)和背離所述生長襯底(2)的背面(11)，

-在所述有源層序列(1)的背面(11)上構造反射層序列(51)，該反射層序列包含至少一個金屬層(5)和至少一個介電層(3)，

-借助激光將能量引入到所述反射層序列(51)的至少一個所定義的有限的體積區域(8)中，使得在該定義的有限的體積區域(8)內構成至少一個朝向所述有源層序列(1)的背面(11)的背面導電接觸部位(6)，

-將載體(7)施加在所述反射層序列(51)上，以及

-去除所述生長襯底(2)。

5.一種用于制造基于III/V化合物半導體材料的適合于產生電磁輻射的薄膜半導體芯片的方法，具有以下步驟：

-將適合于產生電磁輻射的有源層序列(1)施加在生長襯底(2)上，所述有源層序列(1)具有面向所述生長襯底(2)的正面(12)和背離所述生長襯底(2)的背面(11)，

-施加至少一個金屬反射層(5)，該金屬反射層構成朝向所述有源層序列(1)的背面(11)的背面導電接觸部位(6)，

-借助激光對所述背面導電接觸部位(6)進行退火，

-將載體(7)施加在金屬反射層(5)上，以及

-去除所述生長襯底(2)。

6.根據權利要求1至5之一的方法，其中：

-在所述有源層序列(1)的正面(12)上施加調質層序列(52)，該調質層序列包括至少一個介電層(3)，

-至少部分地將至少一個金屬層(5)施加到所述調質層序列(52)上，以及

-借助激光將能量引入到所述調質層序列(52)和所述金屬層(5)的橫向的所定義的有限的體積區域(8)中，使得構成至少一個朝向所述有源層序列(1)的正面(12)的正面導電接觸部位(6)。

7.根據權利要求1至5之一的方法，其中：

-在所述有源層序列(1)的正面(12)上施加至少一個正面導電接觸部位(6)，以及

-借助激光對所述正面導電接觸部位(6)進行退火。

8.根據權利要求1至5之一的方法，其中：

-所述有源層序列(1)的被施加所述背面導電接觸部位(6)的背面(11)包含p摻雜的磷化物-III/V化合物半導體材料和/或p摻雜的砷化物-III/V化合物半導體材料，以及

-所述背面導電接觸部位(6)包含元素Au和Zn中的至少一種。

9.根據權利要求1至5之一的方法，其中：

-所述有源層序列(1)的被施加所述背面導電接觸部位(6)的背面(11)包含n摻雜的磷化物-III/V化合物半導體材料和/或n摻雜的砷化物-III/V化合物半導體材料，以及

-所述背面導電接觸部位(6)包含元素Au和Ge中的至少一種。