[發明專利]用于制造抗蝕圖案和導體圖案的方法

有效

• 申請號: 200580040710.6
• 申請日: 2005-11-29
• 公開（公告）號: CN101065707A
• 公開（公告）日: 2007-10-31
• 發明（設計）人: 三隅浩一;齋藤宏二;石川薰
• 申請（專利權）人: 東京應化工業株式會社
• 主分類號: G03F7/038
• 分類號: G03F7/038;G03F7/11
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 陳長會

技術領域

本發明涉及用于制造抗蝕圖案和導體圖案的方法。要求2004年11月30日提交的日本專利申請2004-347772的優先權，其內容通過引用結合在此。

背景技術

近年來，改變電路從而有利于高度集成的電路如LSI等，隨著電器件的小型化在快速發展。將形成接觸端子的多針(multi-pin)薄膜封裝法用于在電器件上安置LSI等，所述接觸端子每一個都由在載體如襯底的上表面上的突出電極組成。在多針薄膜封裝法中，使用由從載體突出的突部(bump)組成的接觸端子或由從載體突出的稱為＂金屬接線柱＂的支柱(strut)和在其上形成的焊球組成的接觸端子等。

可以通過例如如下步驟形成這種突部和金屬接線柱：在其上表面上具有由銅制成的部分的載體(優選銅襯底)的上表面上，形成厚度約不小于5μm的厚抗蝕劑層；通過預定的掩模圖案使所述抗蝕劑層曝光；將它顯影以選擇性除去(剝離)形成接觸端子的部分，從而形成抗蝕圖案；使用導體如銅、金、鎳、焊料等，通過電鍍等填充剝離部分(非抗蝕劑部分)；并且最后除去周圍的抗蝕圖案。

另一方面，使用酸生成劑的化學放大型抗蝕劑組合物作為高度靈敏的光敏樹脂組合物是熟知的。在化學放大型抗蝕劑組合物中，通過用放射線輻照，由酸生成劑生成酸。設計化學放大型抗蝕劑組合物，使得當在曝光之后加熱所述化學放大型抗蝕劑組合物時，促進酸的生成以改變在所述抗蝕劑組合物中包含的基礎樹脂的堿溶解度。具有使不溶于堿的性質可以變為可溶于堿的特性的組合物稱為＂正性＂，而具有使可溶于堿的性質可以變為不溶于堿的特性的組合物稱為＂負性＂。以這種方式，化學放大型抗蝕劑組合物獲得優于光反應系數(每1光子的反應)小于1的常規抗蝕劑的顯著高的光敏性。

然而，迄今，如果使用化學放大型抗蝕劑組合物在包含銅的載體上形成光致抗蝕劑層，則所述銅具有使得具有高精度的抗蝕圖案難以獲得的影響。例如，在顯影之后，可能在抗蝕圖案上產生缺陷，如膜剝離或脫落。

于是專利文件1(日本專利未審查專利申請，第一次公布2003-140347)公開了如下技術：層壓載體和包含通過酸和酸生成劑的作用改變堿溶解度的樹脂的厚光致抗蝕劑層，其間插入由有機材料組成的屏蔽層以防止所述載體和所述厚光致抗蝕劑層之間的接觸。

然而，存在的問題在于因為屏蔽層由有機材料制成，從而用于干燥它的條件可以根據載體的底層的厚度、材料、結構等不同，所以必須嚴格管理和控制在屏蔽層的制備中的時間、溫度等。

另外，在其中屏蔽層由有機材料制成的情況下，屏蔽層和光致抗蝕劑層的混合可能是一個問題。在此，術語″混合″指在層壓兩層或兩層以上時，兩個相鄰層的每一個溶解，由此在界面相互混合的現象。

本發明是考慮到上述情況而完成的。本發明一個目的是提供用于在其上表面上具有銅的載體上形成抗蝕圖案的方法，所述方法能夠降低在抗蝕圖案上的銅的影響，易于控制和管理生產，并且幾乎不產生混合的問題。

發明內容

為了達到上述目的，本發明采用如下構造。

本發明的用于制造抗蝕圖案的方法包括：層壓(a)具有其上存在銅的上表面的載體、(b)由從無機物質源供應的無機物質組成的無機物質層和(c)由化學放大型負性光致抗蝕劑組合物組成的光致抗蝕劑層以獲得光致抗蝕劑層壓材料的步驟；將激活光或放射線選擇性輻照到所述光致抗蝕劑層壓材料上的步驟；和將所述(c)光致抗蝕劑層與所述(b)無機物質層一起顯影以形成抗蝕圖案的步驟。

本發明的用于制造導體圖案的方法包括在抗蝕圖案的非抗蝕劑部分上形成導電圖案，所述抗蝕圖案是通過本發明的用于制造抗蝕圖案的方法獲得的。

[發明效果]

在本發明中，可以提供用于在其上表面上具有銅的載體上形成抗蝕圖案的方法，所述方法能夠降低抗蝕圖案上的銅的影響，易于控制和管理生產，并且幾乎不產生混合的問題。

實施本發明的最佳方式

[抗蝕圖案的制造方法]

本發明的用于制造抗蝕圖案的方法包括：層壓(a)具有其上存在銅的上表面的載體、(b)由從無機物質源供應的無機物質組成的無機物質層和(c)由化學放大型負性光致抗蝕劑組合物組成的光致抗蝕劑層以獲得光致抗蝕劑層壓材料的步驟；將激活光或放射線選擇性輻照到所述光致抗蝕劑層壓材料上的步驟；和將所述(c)光致抗蝕劑層與所述(b)無機物質層一起顯影以形成抗蝕圖案的步驟。

(層壓步驟)