[發明專利]氮化物半導體LED及其制造方法有效
| 申請號： | 200580039804.1 | 申請日： | 2005-07-06 |
| 公開（公告）號： | CN101208809A | 公開（公告）日： | 2008-06-25 |
| 發明（設計）人： | 李昔憲 | 申請（專利權）人： | LG伊諾特有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人： | 顧晉偉;劉繼富 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氮化物 半導體 led 及其 制造 方法 | ||
1.一種氮化物半導體發光二極管，包含：
襯底；
形成在所述襯底上的緩沖層；
形成在所述緩沖層上的In-摻雜的GaN層；
形成在所述In-摻雜的GaN層上的第一電極層；
形成在所述第一電極層上的InxGa1-xN層；
形成在所述InxGa1-xN層上的有源層；
形成在所述有源層上的第一P-GaN層；
形成在所述第一P-GaN層上的第二電極層；
部分突出在所述第二電極層上的第二P-GaN層；和
形成在所述第二P-GaN層上的第三電極層。
2.根據權利要求1的氮化物半導體發光二極管，其中利用AlInN/GaN分層結構、InGaN/GaN超晶格結構、InxGa1-xN/GaN分層結構和AlxInyGa1-(x+y)N/InxGa1-xN/GaN分層結構中的所選其一來形成所述緩沖層。
3.根據權利要求1的氮化物半導體發光二極管，其中所述第一電極層是硅和銦共摻雜的GaN層。
4.根據權利要求1的氮化物半導體發光二極管，其中在所述InxGa1-xN層之下和之上還分別形成第一SiNx簇層和第二SiNx簇層。
5.根據權利要求4的氮化物半導體發光二極管，其中所述第一和第二SiNx簇層形成為具有原子尺度的厚度。
6.根據權利要求1的氮化物半導體發光二極管，其中所述有源層具有單量子阱結構或由InyGa1-yN阱層/InzGa1-zN勢壘層構成的多量子阱結構。
7.根據權利要求5的氮化物半導體發光二極管，其中還在構成所述有源層的所述阱層和所述勢壘層之間形成SiNx簇層。
8.根據權利要求6的氮化物半導體發光二極管，其中還在構成所述有源層的所述InyGa1-yN阱層和所述InzGa1-zN勢壘層之間形成SiNx簇層。
9.根據權利要求6的氮化物半導體發光二極管，其中還在構成所述有源層的所述InyGa1-yN阱層和所述InzGa1-zN勢壘層之間形成GaN覆蓋層。
10.根據權利要求1的氮化物半導體發光二極管，其中還在所述有源層和所述第一P-GaN層之間形成SiNx簇層。
11.根據權利要求7的氮化物半導體發光二極管，其中所述SiNx簇層形成為具有原子尺度的厚度。
12.根據權利要求8的氮化物半導體發光二極管，其中所述SiNx簇層形成為具有原子尺度的厚度。
13.根據權利要求10的氮化物半導體發光二極管，其中所述SiNx簇層形成為具有原子尺度的厚度。
14.根據權利要求6的氮化物半導體發光二極管，其中摻雜到所述InyGa1-yN阱層/所述InzGa1-zN勢壘層的銦含量和摻雜到所述InxGa1-xN層中的銦含量分別具有0＜x＜0.1、0＜y＜0.35和0＜z＜0.1的值。
15.根據權利要求1的氮化物半導體發光二極管，其中所述第一P-GaN層具有摻雜在其中的鎂(Mg)。
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