[發明專利]測量自偏壓來監控等離子體處理系統中處理的方法和裝置

有效

• 申請號: 200580039762.1
• 申請日: 2005-09-23
• 公開（公告）號: CN101088147A
• 公開（公告）日: 2007-12-12
• 發明（設計）人: 蒂莫西·J·吉尼;拉奧·安納普拉加達;蘇布哈什·德希穆克;程家成
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01L21/30
• 分類號: H01L21/30;H01L21/306;H01L21/00;G01L21/30;B44C1/22
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 余剛;尚志峰

1.一種用于在具有等離子體處理室的等離子體處理系統中原位 監控處理的蝕刻速率的方法，包括：

在所述等離子體處理室中定位襯底；

在將所述襯底設置在所述等離子體處理室中的同時，在 所述等離子體處理室中撞擊等離子體；

測量所述襯底和所述等離子體之間的自偏壓；以及

如果所述測量自偏壓值在預定自偏壓值包絡之外，則使 所述測量自偏壓值與所述處理的蝕刻速率相關。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，在特定RF頻率處生成所 述等離子體。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，所述特定RF頻率為2 MHZ。

4.根據權利要求2所述的方法，其中，所述特定RF頻率為27 MHz。

5.根據權利要求2所述的方法，其中，所述特定RF頻率為13. 56MHz。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，所述等離子體處理系統包 括V/I探針，以及使用所述V/I探針測量所述測量自偏壓值。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述測量自偏壓值表示相 位角測量的值。

8.根據權利要求6所述的方法，其中，所述測量自偏壓值表示振 幅測量的值。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，所述預定自偏壓值包絡包 括自偏壓控制下限。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，所述自偏壓控制下限在預 定自偏壓目標值的3σ的范圍內。

11.根據權利要求1所述的方法，其中，所述預定自偏壓值包絡包 括自偏壓控制上限。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，所述自偏壓控制上限在 預定自偏壓目標值的3σ的范圍內。

13.根據權利要求1所述的方法，其中，所述預定自偏壓值包絡包 括自偏壓控制下限和自偏壓控制上限。

14.根據權利要求1所述的方法，其中，所述襯底是半導體晶片。

15.根據權利要求1所述的方法，其中，所述襯底是玻璃板。

16.根據權利要求1所述的方法，其中，所述等離子體處理系統是 電容耦合等離子體處理系統。

17.根據權利要求1所述的方法，其中，所述等離子體處理系統是 電感耦合等離子體處理系統。

18.根據權利要求1所述的方法，其中，所述等離子體處理系統是 大氣等離子體處理系統。

19.根據權利要求1所述的方法，其中，所述等離子體處理系統是 頻率調諧耦合等離子體處理系統。