[發(fā)明專利]晶片處理系統(tǒng)及制造晶片的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200580039598.4
• 申請日: 2005-10-31
• 公開（公告）號: CN101208454A
• 公開（公告）日: 2008-06-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 凱文·P·費(fèi)爾貝恩;哈里·蓬內(nèi)坎蒂;克里斯托弗·萊恩;羅伯特·愛德華·韋斯;伊恩·拉奇福特;特里·布盧克
• 申請（專利權(quán)）人: 因特維克有限公司
• 主分類號: C23C16/00
• 分類號: C23C16/00;C23F1/00;H01L21/306;C23C14/00
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 章社杲;吳貴明

1.一種處理系統(tǒng)，包括：

裝載鎖室，用于使基板進(jìn)入真空環(huán)境，載體，支撐將在所述處理系統(tǒng)中被處理的基板，第一排室，包括：

第一處理室，連接于所述裝載鎖并與所述裝載鎖水平對齊，以在其室中的基板上進(jìn)行處理步驟；

至少第二處理室，連接于所述第一處理室并與所述第一處理室水平對齊，以在其室中的基板上進(jìn)行第二處理步驟；

至少第二排室，包括：

處理室，鄰近所述第一排處理室并定位在其側(cè)部，以進(jìn)一步處理基板；

至少一轉(zhuǎn)移室，連接于一排處理室并在其端部與之對齊，并且連接于另一排處理室并在其端部與之對齊，以將基板從一排處理室轉(zhuǎn)移到另一排處理室，以及

傳送系統(tǒng)，移動(dòng)基板載體通過所述第一排處理室、通過所述轉(zhuǎn)移室、然后通過所述第二排處理室，

所述處理系統(tǒng)占據(jù)與所述排處理室及所述至少一個(gè)轉(zhuǎn)移室基本相同的占地面積。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理系統(tǒng)，包括：機(jī)械手裝置，以

把基板從盒體中提起并將基板供給到所述裝載鎖中。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片處理系統(tǒng)，包括：所述機(jī)械手被設(shè)置成，將晶片從所述盒體中提起并將所述晶片供給到所述裝載鎖中且將已處理的晶片從所述裝載鎖返回到所述盒體中。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理系統(tǒng)，其中，所述基板沿水平位置被傳送和處理。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶片處理系統(tǒng)，其中，所述第一排室包括將沉積材料濺射到晶片表面的室。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶片處理系統(tǒng)，其中，所述第一排室包括從所述晶片表面蝕刻材料的室。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理系統(tǒng)，其中，所述載體在其中心區(qū)域具有孔，并且其中提升件移動(dòng)穿過所述孔，進(jìn)而提升所述基板以進(jìn)行處理。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶片處理系統(tǒng)，其中，所述基板包括晶片，靜電卡盤附著其表面，所述提升件與所述表面相接觸。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理系統(tǒng)，其中，閥密封所述轉(zhuǎn)移室，從而可將與一排室相對齊的轉(zhuǎn)移室的部分保持為不同的環(huán)境。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理系統(tǒng)，其中，所述基板在所述第一排室的所述處理工位中均與其它的同時(shí)移動(dòng)到所述第一排中的按次序的下一個(gè)室中。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理系統(tǒng)，其中，所述基板在所述第二排室的所述處理工位中全都同時(shí)地移動(dòng)到所述第二排中的按次序的下一個(gè)室中。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的晶片處理系統(tǒng)，其中，所述基板包括晶片，并且當(dāng)所述傳送系統(tǒng)將所述裝載鎖中的晶片移入第一處理室時(shí)，所述傳動(dòng)系統(tǒng)將所述第一排室中的晶片同時(shí)順次送往所述排中的下一室。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片處理系統(tǒng)，其中，所述基板包括晶片，并且所述傳送系統(tǒng)將晶片從所述第二排室中的處理室移向預(yù)裝載鎖室，并同時(shí)將所述第二排室中的其它晶片移動(dòng)到所述排中按次序的下一個(gè)室中。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的基板處理系統(tǒng)，其中，所述第一排室中的其它晶片被順序移往所述排的下一室，同時(shí)基板從所述第一排室的處理室被送往傳輸室。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的晶片處理系統(tǒng)，其中，所述基板包括晶片，并且所述傳送系統(tǒng)將所述傳輸室中的晶片橫向傳送至接近所述第二排室的位置。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理系統(tǒng)，其中，在濺射工位的載體中的基板在其中進(jìn)行濺射操作期間被提升到密封處理室的位置。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的處理系統(tǒng)，其中，所述基板包括晶片，并且通過由臂進(jìn)行提升，所述晶片被升起，所述臂壓在處于載體中適當(dāng)位置處的所述晶片的背面并向上延伸通過所述載體中的開口，將所述晶片的另一表面放置在所述處理室的基部的被密封位置上。

18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的晶片處理系統(tǒng)，其中，所述傳輸室中的所述晶片被傳送到所述第二排處理室中的鄰接處理室，并且所述第二排室中的所述其它晶片均被移動(dòng)至相鄰的室。