[發明專利]低溫SiN沉積方法

無效

• 申請號: 200580039394.0
• 申請日: 2005-08-15
• 公開（公告）號: CN101061255A
• 公開（公告）日: 2007-10-24
• 發明（設計）人: 阿吉特·P·帕仁吉佩;康展·張;布倫登·麥克杜格爾;韋恩·維雷布;米歇爾·巴頓;艾倫·戈德曼;薩默納斯·內奇
• 申請（專利權）人: 應用材料股份有限公司
• 主分類號: C23C16/34
• 分類號: C23C16/34;C23C16/44;H01L21/00;H01L21/318;C23C16/455
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司
• 代理人: 徐金國;陳紅

1.一種用于在處理區內的襯底上沉積包含硅和氮的層的方法，包括：

將含硅前驅物導入到所述處理區中；

排出所述處理區中包括所述含硅前驅物的氣體，同時均勻地逐漸降低所述處理區的壓力；

將含氮前驅物導入到所述處理區中；以及

排出所述處理區中包括所述含氮前驅物的氣體，同時均勻逐漸降低所述處理區的壓力。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，進一步包括維持襯底支架在400℃到650℃的溫度。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述處理區的所述壓力為0.2到10Torr。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在每個排氣步驟期間壓力降低相對于時間的斜率基本為常數。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，在所述排氣步驟期間所述壓力降低相對于時間的所述斜率基本相同。

6.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，用于導入所述含硅前驅物的時間周期和用于導入所述含氮前驅物的時間周期為1到5秒。

7.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，用于排出所述處理區中包括所述含硅前驅物和所述含氮前驅物的氣體的時間周期為2到20秒。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在導入所述含硅前驅物時所述處理區中的壓力為0.2到10Torr，以及在導入所述含氮前驅物時所述處理區中的壓力為0.2到10Torr。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在導入所述含硅前驅物之前所述處理區中的壓力為0.2Torr，以及在導入所述含氮前驅物之前所述處理區中的壓力為0.2Torr。

10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述含氮前驅物選自包含氨、三甲胺、叔丁胺、二烯丙基胺、甲胺、乙胺、丙胺、丁胺、丙烯胺和環丙胺的組。

11.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，含硅前驅物選自包括乙硅烷、硅烷、三氯硅烷、四氯硅烷和雙(叔丁胺)硅烷的組。

12.一種用于在處理區內的襯底上沉積包括硅和氮的層的方法，其特征在于，包括：

預熱含硅前驅物和含氮前驅物；

將含硅前驅物導入至所述處理區中；

排出在所述處理區中包括所述含硅前驅物的氣體，同時均勻逐漸降低所述處理區的壓力；

導入含氮前驅物至所述處理區內；以及

排出在所述處理區中包括所述含氮前驅物的氣體同時均勻逐漸降低所述處理區的壓力。

13.根據權利要求12的方法，其特征在于，將所述含硅前驅物和所述含氮前驅物預熱至100到250℃。

14.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，在所述排氣步驟期間通過控制導入至所述處理區的清洗氣體量以及通過控制連接所述處理區的排氣閥降低所述處理區的壓力。

15.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，所述含氮前驅物選自包括氨、三甲胺、叔丁胺、二烯丙基胺、甲胺、乙胺、丙胺、丁胺、丙烯胺和環丙胺的組以及所述含硅前驅物選自包括乙硅烷、硅烷、三氯硅烷、四氯硅烷和雙(叔丁胺)硅烷的組。

16.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，所述處理區中的所述襯底支架維持在400到650℃的溫度。

17.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，所述處理區的壓力為0.2到10Torr。

18.一種用于在處理區中在襯底上沉積包括硅和氮的層的方法，其特征在于，包括：

將含硅前驅物導入至所述處理區中；

排出所述處理區中包括所述含硅前驅物的氣體，同時降低所述處理區的壓力從而壓力降低相對于時間的斜率基本為常數；

將含氮前驅物導入至所述處理區中；以及

排出在所述處理區中包括所述含氮前驅物的氣體，同時降低所述處理區的壓力從而壓力降低相對于時間的斜率基本為常數。

19.根據權利要求18所述的方法，其特征在于，用于導入所述含硅和含氮前驅物的時間周期為1-5秒，以及用于排出包括所述含氮和含硅前驅物的時間周期為2-20秒。

20.根據權利要求18所述的方法，其特征在于，所述處理區的壓力為0.2到10Torr。