[發(fā)明專利]印花轉(zhuǎn)印刻蝕

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200580039211.5
• 申請日: 2005-10-14
• 公開（公告）號: CN101061432A
• 公開（公告）日: 2007-10-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 拉爾夫·G·努若;威廉·R·蔡爾茲;邁克爾·J·莫特拉;李健在
• 申請（專利權(quán)）人: 伊利諾斯大學(xué)理事會
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00
• 代理公司: 北京信慧永光知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 梁興龍;武玉琴

1.一種在軟刻蝕技術(shù)中制造微結(jié)構(gòu)的方法，包括：

用UV射線通過掩模照射含硅彈性體的表面的露出部分來選擇性活 化所述露出部分，同時用所述掩模覆蓋所述表面的被保護部分；

其中在照射中，使所述露出部分與含有氧的氣氛接觸，并且使 所述掩模與所述被保護部分接觸；

從所述含硅彈性體的表面去除所述掩模；

使所述含硅彈性體的表面與基底接觸；以及

使所述活化部分與基底結(jié)合，使得所述活化部分和與所述活化部分 接觸的那部分基底不可逆地連接。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述掩模包括在所述表面的被 保護部分上的硬質(zhì)掩模。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中

所述掩模包括具有UV-不透明部和UV-透明部的圖案并具有在所述 UV-不透明部下的間隔材料的無支撐掩模；以及

所述表面的露出部分在所述UV-透明部之下并與其分開。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中在照射中與所述露出部分接觸 的氣氛富含分子氧。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中在照射中與所述露出部分接觸 的氣氛富含臭氧。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述結(jié)合包括加熱所述含硅彈 性體和所述基底。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述含硅彈性體的表面是平面 的。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述含硅彈性體的表面包括隆 起區(qū)和下降區(qū)的圖案。

9.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括使所述含硅彈性體與所述基 底分離。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述基底和所述表面的活化部 分保持接觸。

11.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述含硅彈性體和與所述表面 的活化部分接觸的所述基底部分保持接觸。

12.如權(quán)利要求1所述的方法，其中

所述含硅彈性體的表面未圖案化；

所述掩模包括具有UV-不透明部和UV-透明部的圖案并具有在所述 UV-不透明部下的間隔材料的無支撐掩模；以及

所述表面的露出部分在所述UV-透明部之下并與其分開；

所述方法還包括使所述含硅彈性體與所述基底分離，使得所述基底 和所述表面的活化部分保持接觸。

13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述分離包括在所述含硅彈性 體內(nèi)誘導(dǎo)內(nèi)聚破壞。

14.如權(quán)利要求12所述的方法，其中在分離之后，含硅彈性體層與 所述表面的活化部分保持連接。

15.如權(quán)利要求14所述的方法，還包括通過調(diào)節(jié)照射時間來控制所 述層的厚度。

16.如權(quán)利要求12所述的方法，其中在分離之后，在所述基底上所 述表面的活化部分的最小特征尺寸小于1微米。

17.如權(quán)利要求1所述的方法，其中

所述含硅彈性體的表面包括隆起區(qū)和下降區(qū)的圖案；

所述掩模包括具有UV-不透明部和UV-透明部的圖案并具有在所述 UV-不透明部下的間隔材料的無支撐掩模；以及

所述表面的隆起區(qū)的露出部分在所述UV-透明部之下并與其分開；

所述方法還包括使所述含硅彈性體與所述基底分離，使得所述基底 和所述隆起區(qū)的活化部分保持接觸。

18.如權(quán)利要求17所述的方法，還包括形成所述包括隆起區(qū)和下降 區(qū)的圖案的含硅彈性體。

19.如權(quán)利要求17所述的方法，其中所述分離包括在所述含硅彈性 體內(nèi)誘導(dǎo)內(nèi)聚破壞。