[發(fā)明專利]用于產(chǎn)生推力的場(chǎng)轉(zhuǎn)換器無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200580039016.2 | 申請(qǐng)日: | 2005-09-07 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101438359A | 公開(kāi)(公告)日: | 2009-05-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 道格拉斯·G·托爾;喬斯·G·瓦爾加斯;邁克爾·H·格拉夫 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | PST合伙有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | H01G4/20 | 分類號(hào): | H01G4/20 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 | 代理人: | 王 冉;王景剛 |
| 地址: | 美國(guó)北卡*** | 國(guó)省代碼: | 美國(guó);US |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 產(chǎn)生 推力 轉(zhuǎn)換器 | ||
1、一種產(chǎn)生可以提供推力的非均勻電場(chǎng)的設(shè)備,包括:
第一電極,由第一導(dǎo)電材料構(gòu)成;
第二電極,由第二導(dǎo)電材料構(gòu)成,其與該第一電極隔開(kāi)但靠近該第一電極;和
第一和第二電介質(zhì)材料,其夾置在該第一和第二電極之間,該第一和第二電介質(zhì)材料分別具有高的和低的質(zhì)量密度。
2、如權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中該第一和第二電介質(zhì)材料具有基本相同的介電常數(shù)。
3、如權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中該第一和第二電介質(zhì)材料具有5000或更高的介電常數(shù)。
4、如權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中該第一和第二電介質(zhì)材料具有10,000或更高的介電常數(shù)。
5、如權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中該第一和第二電介質(zhì)材料具有50,000或更高的介電常數(shù)。
6、如權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中該第一和第二導(dǎo)電材料為金屬或?qū)щ娞沾伞?/p>
7、如權(quán)利要求6所述的設(shè)備,其中該金屬為鋁、銅、銀或金。
8、如權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中該設(shè)備是圓柱形電容器。
9、如權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中該第一和第二電介質(zhì)材料之間的質(zhì)量密度差大于約10%。
10、如權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中該第一和第二電介質(zhì)材料的質(zhì)量密度差大于約100%。
11、如權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中該第一和第二電介質(zhì)材料的質(zhì)量密度差大于約1000%。
12、如權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中該高密度材料填充該第一和第二電極之間的約一半的空間,并且該低密度材料填充約另一半。
13、如權(quán)利要求12所述的設(shè)備,其中非均勻電場(chǎng)在垂直于分開(kāi)該高和低密度材料的基平面的平面法線方向上是非零、非抵消場(chǎng)。
14、如權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中該電極被充電帶有產(chǎn)生該非均勻電場(chǎng)的電勢(shì)差。
15、如權(quán)利要求14所述的設(shè)備,其中該非均勻電場(chǎng)接近但是低于該電介質(zhì)材料的電擊穿強(qiáng)度。
16、一種產(chǎn)生可以提供推力的非均勻電場(chǎng)的單元陣列,其中每個(gè)單元包括:
第一電極,由第一導(dǎo)電材料構(gòu)成;
第二電極,由第二導(dǎo)電材料構(gòu)成,其與該第一電極隔開(kāi)但靠近該第一電極;和
第一和第二電介質(zhì)材料,其夾置在該第一和第二電極之間,該第一和第二電介質(zhì)材料分別具有高的和低的質(zhì)量密度。
17、如權(quán)利要求16所述的單元陣列,其中所述陣列包括多于1,000,000個(gè)單元。
18、如權(quán)利要求16所述的單元陣列,其中所述陣列包括多于5,000,000個(gè)單元。
19、如權(quán)利要求16所述的單元陣列,其中所述陣列包括多于10,000,000,000個(gè)單元。
20、一種陣列,包括:
第一多個(gè)單元,該第一多個(gè)單元的每個(gè)單元產(chǎn)生具有第一場(chǎng)矢量的非均勻電場(chǎng),在該矢量方向上該非均勻電場(chǎng)具有最大的量值,其中該第一多個(gè)單元取向成使得各自的最大量值的該第一場(chǎng)矢量共同地排列在與重力相反的方向;和
第二多個(gè)單元,該第二多個(gè)單元的每個(gè)單元產(chǎn)生具有第二場(chǎng)矢量的非均勻電場(chǎng),在該矢量方向上非均勻電場(chǎng)具有最大的量值,其中該第二多個(gè)單元取向成使得各自的最大量值的該第二場(chǎng)矢量基本上共同地排在重力的法線方向上;
該第一和第二多個(gè)單元的每個(gè)單元包括:
第一電極,由第一導(dǎo)電材料構(gòu)成;
第二電極,由第二導(dǎo)電材料構(gòu)成,其與該第一電極隔開(kāi)并靠近該第一電極;和
第一和第二電介質(zhì)材料,其夾置在該第一和第二電極之間,該第一和第二電介質(zhì)材料分別具有高的和低的質(zhì)量密度。
21、如權(quán)利要求20所述的陣列,其中該第一和第二電介質(zhì)材料具有基本相同的介電常數(shù)。
22、如權(quán)利要求20所述的設(shè)備,其中該第一和第二電介質(zhì)材料具有5000或更高的介電常數(shù)。
23、如權(quán)利要求20所述的設(shè)備,其中該第一和第二電介質(zhì)材料具有10,000或更高的介電常數(shù)。
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