[發明專利]激光加工方法

有效

• 申請號: 200580038895.7
• 申請日: 2005-11-10
• 公開（公告）號: CN101057318A
• 公開（公告）日: 2007-10-17
• 發明（設計）人: 坂本剛志;杉浦隆二
• 申請（專利權）人: 浜松光子學株式會社
• 主分類號: H01L21/301
• 分類號: H01L21/301;B23K26/40
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司
• 代理人: 龍淳

技術領域

本發明涉及將具備有襯底和含有功能元件且在襯底的表面形成的層壓部的加工對象物沿著切斷預定線進行切斷的激光加工方法。

背景技術

作為現有的這種技術，是通過將聚光點對準于形成有包含多個功能元件的層壓部的襯底的內部來照射激光，而在襯底的內部沿著切斷預定線形成改質區域，并以該改質區域為起點而將襯底及層壓部進行切斷的激光加工方法(例如參照專利文獻1)。

專利文獻1：日本特開2003-334812號公報

發明內容

上述的激光加工方法，是在可高精度地切斷襯底及層壓部的方面有效的技術。關于該技術，在形成有包含多個功能元件的層壓部的襯底的內部，沿著切斷預定線形成改質區域的情況下，以該改質區域作為起點，尤其可進行層壓部的更高精度的切斷的技術是令人盼望的。

于是，本發明是鑒于這樣的情況而完成的，其目的在于，提供一種激光加工方法，其在將具備有襯底以及含功能元件并在襯底的表面形成的層壓部的加工對象物切斷時，尤其可以高精度來切斷層壓部。

為了達到上述目的，本發明的激光加工方法，其特征在于，將具備有襯底以及含功能元件并在襯底的表面形成的層壓部的加工對象物，沿著切斷預定線進行切斷，該激光加工方法包括：將保護部件安裝在層壓部的表面的工序；在安裝保護部件之后，通過將襯底的背面作為激光入射面，使聚光點對準襯底的內部，來照射激光，而沿著襯底的切斷預定線使成為切斷的起點的改質區域在襯底的內部形成，并產生從改質區域的表面側端部起至少到達襯底的表面的龜裂的工序；在使龜裂產生之后，將可擴張部件安裝在襯底的背面的工序；在安裝可擴張部件之后，通過使可擴張部件擴張，而沿著切斷預定線切斷加工對象物的工序。

該激光加工方法，在將保護部件安裝在層壓部的表面的狀態下，通過將襯底的背面作為激光入射面來照射激光，而沿著切斷預定線在襯底的內部形成改質區域，并產生從改質區域的表面側端部起至少到達襯底的表面的龜裂。并且，在產生這樣的龜裂的狀態下，將可擴張部件安裝在襯底的背面并使其擴張時，不僅可將襯底沿著切斷預定線精度良好地切斷，而且尤其可將層壓部沿著切斷預定線精度良好地切斷。因而，依照該激光加工方法，在將具備有襯底以及含功能元件并在襯底的表面形成的層壓部的加工對象物進行切斷時，尤其可將層壓部高精度地切斷。

所謂功能元件，意思是指，例如，通過晶體生長而形成的半導體動作層、光電二極管等的受光元件、激光二極管等的發光元件、作為電路而形成的電路元件等。并且，改質區域是，通過將聚光點對準襯底的內部來照射激光，在襯底的內部產生多光子吸收或與其同等的光吸收而形成的。

并且，在上述激光加工方法中，可產生從改質區域的表面側端部起到達層壓部的內部的龜裂，亦可產生從改質區域的表面側端部起到達層壓部的表面的龜裂。

并且，優選將改質區域形成為，使得在襯底的厚度方向上改質區域的中心位于比襯底的中心更接近襯底的表面側的位置。通過這樣形成改質區域，可以容易地產生從改質區域的表面側端部起至少到達襯底的表面的龜裂。

在此，存在襯底是半導體襯底且改質區域包含熔融處理區域的情況。該熔融處理區域為上述改質區域的一個例子，因此在該情況下，在將具備有襯底以及含功能元件且在襯底的表面形成的層壓部的加工對象物切斷時，也可特別高精度地切斷層壓部。

并且，還存在襯底是半導體襯底，改質區域包括熔融處理區域、及相對于該熔融處理區域而位于襯底的表面側的微小空洞的情況。該熔融處理區域及微小空洞為上述改質區域的一個例子，因此在該情況下，在將具備有襯底以及含功能元件且在襯底的表面形成的層壓部的加工對象物切斷時，也可特別高精度地切斷層壓部。

并且，本發明的激光加工方法，在層壓部包含低介電常數的膜時特別有效。低介電常數膜一般具有機械強度低、且難以與其它材料親和的性質，因此容易引起拉裂或膜剝離，但是根據本發明的激光加工方法，可防止拉裂或膜剝離，可與襯底一起高精度地切斷低介電常數的膜。

根據本發明，在將具備有襯底、含功能元件且在襯底的表面形成的層壓部的加工對象物切斷時，尤其可以高精度地切斷層壓部。

附圖說明

圖1是利用本實施方式的激光加工方法的激光加工中的加工對象物的平面圖。

圖2是沿圖1所示的加工對象物的II-II線的剖面圖。

圖3是利用本實施方式的激光加工方法的激光加工后的加工對象物的平面圖。

圖4是沿圖3所示的加工對象物的IV-IV線的剖面圖。