[發(fā)明專利]半導體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200580038582.1
• 申請日: 2005-11-09
• 公開（公告）號: CN101057329A
• 公開（公告）日: 2007-10-17
• 發(fā)明（設計）人: 山崎舜平;安部寬子;根本幸惠;野村亮二;湯川干央
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L27/10
• 分類號: H01L27/10;H01L27/28;H01L29/786;H01L45/00;H01L49/02;H01L51/05;H01Q1/38
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王以平

1.一種半導體器件，包括：

第一元件形成層；

第二元件形成層；和

包含導電顆粒的導電層，通過該導電層將所述第一元件形成層與所述第二元件形成層相粘合，

其中，所述第一元件形成層包括設置在絕緣層上的晶體管、作為所述晶體管的源極布線或漏極布線的導電層、和用作天線的導電層；

所述第二元件形成層包括存儲元件，該存儲元件具有按此順序層積的第一導電層、有機化合物層或相變層、和第二導電層；

所述第一導電層通過所述導電顆粒與所述作為所述晶體管的源極布線或漏極布線的導電層電連接。

2.一種半導體器件，包括：

元件形成層；

具有用作天線的導電層的襯底；和

包含導電顆粒的粘合層，用于將所述元件形成層與所述襯底相粘合，

其中，所述元件形成層包括設置在絕緣層上的第一晶體管和第二晶體管、作為所述第一晶體管的源極布線或漏極布線的導電層、和與所述第二晶體管相重疊的存儲元件，所述存儲元件包括按此順序層積的第一導電層、有機化合物層或相變層、和第二導電層；

所述用作天線的導電層與所述作為所述第一晶體管的源極布線或漏極布線的導電層通過所述導電顆粒電連接。

3.一種半導體器件，包括：

第一元件形成層；

第二元件形成層；和

包含導電顆粒的粘合層，用于將所述第一元件形成層與所述第二元件形成層相粘合，

其中，所述第一元件形成層包括設置在絕緣層上的第一晶體管和第二晶體管、作為所述第一晶體管的源極布線或漏極布線的第一導電層、和作為所述第二晶體管的源極布線或漏極布線的第二導電層；

所述第二元件形成層包括具有按此順序層積的第三導電層、有機化合物層或相變層、第四導電層的存儲元件，和用作天線的第五導電層；

用作天線的所述第五導電層通過導電顆粒與作為所述第一晶體管的源極布線或漏極布線的所述第一導電層電連接。

4.一種半導體器件，包括：

元件形成層；

具有用作天線的導電層的襯底；

包含導電顆粒的粘合層，用于粘合所述元件形成層與所述襯底，

其中，所述元件形成層包括：

設置在絕緣層上的第一晶體管和第二晶體管；

覆蓋所述第一晶體管和所述第二晶體管的層間絕緣層；

作為所述第一晶體管的源極布線或漏極布線的導電層，該導電層通過設置在所述層間絕緣層中的第一開口部分與所述第一晶體管的源區(qū)或漏區(qū)相連接，并通過設置在所述絕緣層和所述層間絕緣層中的第二開口部分暴露在所述元件形成層的背面；

第二晶體管；和

與所述第二晶體管相重疊的存儲元件，該存儲元件具有按此順序層積的第一導電層、有機化合物層或相變層、和第二導電層；

其中，所述用作天線的導電層與所述作為第一晶體管的源極布線或漏極布線的導電層的暴露區(qū)域通過所述粘合層的所述導電顆粒電連接。

5.一種半導體器件，包括：

第一元件形成層；

第二元件形成層；和

包含導電顆粒的粘合層，用于將所述第一元件形成層和所述第二元件形成層相粘合，

其中，所述第一元件形成層包括：

設置在絕緣層上的晶體管；

覆蓋所述晶體管的層間絕緣層；

作為所述晶體管的源極布線或漏極布線的導電層，該導電層通過設置在所述層間絕緣層中的第一開口部分與所述晶體管的源區(qū)或漏區(qū)相連接，并通過設置在所述絕緣層和所述層間絕緣層中的開口部分暴露在所述絕緣層的表面；以及

用作天線的導電層，

其中，所述第二元件形成層包括具有按此順序層積的第一導電層、有機化合物層或相變層、和第二導電層的存儲元件，

其中，所述存儲元件的所述第一導電層通過所述粘合層的所述導電顆粒與所述作為所述晶體管的源極布線或漏極布線的導電層的暴露部分電連接。