[發明專利]具有自對準硅化物和外基極的雙極晶體管

有效

• 申請號: 200580038284.2
• 申請日: 2005-11-10
• 公開（公告）號: CN101057328A
• 公開（公告）日: 2007-10-17
• 發明（設計）人: 瑪瓦恩·H.·卡特;弗朗索瓦·帕杰蒂
• 申請（專利權）人: 國際商業機器公司
• 主分類號: H01L27/082
• 分類號: H01L27/082;H01L21/331
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 秦晨

1.一種雙極晶體管，包括：

基片；

所述基片內的集電極；

所述集電極上的內基極；

鄰近所述內基極的外基極，其中在所述內基極的至少一個側面上，所述外基極包括多個外基極注入區，多個外基極注入區至少包括：

第一注入區，第一注入區鄰近所述內基極并具有第一深度；和

第二注入區，第二注入區鄰近第一注入區并具有大于所述第一深度的第二深度；

發射極，發射極包括：

在所述內基極上方并具有第一側壁的下部；和

在所述下部上方并具有第二側壁的上部，

其中所述上部比所述下部寬使得所述上部的一部分橫向延伸超出所述第一側壁，并且

其中所述第一注入區在從所述下部的所述第一側壁到所述上部的所述第二側壁的部分的下方對準；以及

側壁分隔件，側壁分隔件鄰近所述第二側壁，其中所述側壁分隔件在所述第二注入區上方，并且其中從所述第一注入區的所述第一深度到所述第二注入區的所述第二深度的臺階與所述第二側壁對準。

2.權利要求1的雙極晶體管，其中所述內基極頂端與直接位于所述內基極上的所述發射極的所述下部具有相同的寬度。

3.權利要求1的雙極晶體管，其中所述外基極注入區不在直接位于所述內基極上的所述發射極的所述下部下方延伸。

4.權利要求1的雙極晶體管，其中離所述內基極較遠的注入區比靠近所述內基極的另一注入區在所述基片內延伸得更深。

5.權利要求1的雙極晶體管，所述第二注入區的長度不依賴于所述側壁分隔件的尺寸。

6.權利要求1的雙極晶體管，進一步包括位于所述外基極和所述發射極上的硅化物區，

其中所述硅化物區、所述外基極和所述發射極都彼此自對準。

7.形成雙極晶體管的方法，所述方法包括步驟：

在基片內形成集電極；

在基片內的所述集電極上形成內基極；

構圖位于所述內基極上方的所述基片上的一發射極基座；

在不受所述發射極基座保護的所述基片的部分中形成第一外基極注入區；

去除所述發射極基座；

在所述發射極基座所在位置處形成發射極，其中所述發射極比所述發射極基座寬；

在不受所述發射極保護的所述基片的部分中形成第二外基極注入區；

在所述發射極上形成側壁分隔件；

在不受所述發射極和所述側壁分隔件保護的所述基片的部分中形成第三外基極注入區，其中所述第一外基極注入區、第二外基極注入區和所述第三外基極注入區構成外基極；以及

在所述外基極和所述發射極上形成硅化物區，

其中，所述硅化物區、所述外基極和所述發射極都彼此自對準。

8.權利要求7的方法，其中，當從截面圖看時，所述第一外基極注入區、第二外基極注入區和所述第三外基極注入區構成外基極從而包括相鄰于所述內基極的多個注入區。

9.權利要求8的方法，其中，外基極注入區包括所述外基極的多個段，所述多個段延伸進所述基片不同的深度，其中遠離所述內基極的所述外基極的每一相續段都更深地延伸進所述基片。

10.權利要求7的方法，還包括在形成發射極基座之前對位于所述基片上方的一對準層構圖，從而具有對準開口。

11.權利要求10的方法，其中形成所述發射極基座的步驟包括在所述對準開口內保形地沉積發射極基座材料，其中所述對準開口內的所述發射極基座材料的厚度確定所述發射極基座的寬度。

12.權利要求11的方法，其中沉積所述發射極基座材料的步驟在所述對準開口內形成凹槽，其中所述方法還包括在所述凹槽內形成掩模并去除不受所述掩模保護的發射極基座材料。

13.權利要求10的方法，其中形成所述發射極的步驟包括在所述對準開口內保形地沉積發射極材料，其中所述對準開口內的所述發射極材料的厚度確定所述發射極的寬度。

14.權利要求13的方法，其中沉積所述發射極材料的步驟在所述對準開口內形成凹槽，其中所述方法還包括在所述凹槽內形成掩模并去除不受所述掩模保護的發射極材料。