[發(fā)明專利]無定形氧化物和場效應(yīng)晶體管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200580038273.4
• 申請日: 2005-11-09
• 公開（公告）號: CN101057339A
• 公開（公告）日: 2007-10-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 佐野政史;中川克己;細(xì)野秀雄;神谷利夫;野村研二
• 申請（專利權(quán)）人: 佳能株式會(huì)社;國立大學(xué)法人東京工業(yè)大學(xué)
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/428;H01L21/363
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 李德山

1.一種無定形氧化物，包括微晶體，并且電子載流子濃度為 10¹²/cm³或更高且低于10¹⁸/cm³，

其中，所述微晶體的晶界被無定形結(jié)構(gòu)覆蓋，并且

所述無定形氧化物是從由以下所構(gòu)成的組中選擇的任一種：包含從 In、Zn和Sn中選擇的至少一種元素的氧化物；含有In、Zn和Sn的氧 化物；含有In和Zn的氧化物；含有In和Sn的氧化物；含有In的氧 化物；以及包含In、Ga和Zn的氧化物。

2.一種場效應(yīng)晶體管，其包括根據(jù)權(quán)利要求1所述的無定形氧化 物的有源層和形成為經(jīng)由柵極絕緣體面向該有源層的柵電極。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的場效應(yīng)晶體管，其中該場效應(yīng)晶體管是 常斷類型的晶體管。

4.一種無定形氧化物，其中電子遷移率隨著電子載流子濃度的增 加而增大，

所述無定形氧化物包含微晶體，

所述微晶體的晶界被無定形結(jié)構(gòu)覆蓋，并且

所述無定形氧化物是從由以下所構(gòu)成的組中選擇的任一種：包含從 In、Zn和Sn中選擇的至少一種元素的氧化物；含有In、Zn和Sn的氧 化物；含有In和Zn的氧化物；含有In和Sn的氧化物；含有In的氧 化物；以及包含In、Ga和Zn的氧化物。

5.一種場效應(yīng)晶體管，其包括根據(jù)權(quán)利要求4所述的無定形氧化 物的有源層和形成為經(jīng)由柵極絕緣體面向該有源層的柵電極。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的場效應(yīng)晶體管，其中該場效應(yīng)晶體管是 常斷類型的晶體管。