[發(fā)明專利]具有均勻性控制的蝕刻

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200580038231.0
• 申請(qǐng)日: 2005-08-17
• 公開（公告）號(hào): CN101057320A
• 公開（公告）日: 2007-10-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: S·卡瓦古基;K·塔克施塔
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘭姆研究有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/311
• 分類號(hào): H01L21/311;H01L21/027
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 曾祥夌;陳景峻

1.一種在晶片上形成半導(dǎo)體器件的方法，包括：

在晶片上面形成蝕刻層；

在所述蝕刻層上面形成光刻膠掩模；

除去僅環(huán)繞所述晶片的外邊緣的所述光刻膠掩模，以暴露環(huán)繞所述晶片的外邊緣的所述蝕刻層；

提供包括含碳和氫物種的沉積氣體；

從所述沉積氣體形成等離子體；

在環(huán)繞所述晶片的外邊緣的暴露的所述蝕刻層上沉積聚合物層，其中所述聚合物由來自所述沉積氣體的等離子體形成；

及通過所述光刻膠掩模蝕刻所述蝕刻層，同時(shí)消耗沉積在環(huán)繞所述晶片的外邊緣的暴露的所述蝕刻層上的所述光刻膠掩模和所述聚合物。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括在除去環(huán)繞所述晶片的外邊緣的所述光刻膠掩模后將所述晶片放在蝕刻室中，其中提供所述沉積氣體、從所述沉積氣體形成等離子體、沉積聚合物層以及蝕刻所述蝕刻層都就地發(fā)生在所述蝕刻室內(nèi)，并且其中暴露的所述蝕刻層上的所述沉積聚合物層增加了所述晶片上的蝕刻均勻性。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述沉積氣體還包括含氟物種，以使所述聚合物層是氫氟碳聚合物。

4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中除去僅環(huán)繞所述晶片所述外邊緣的所述光刻膠掩模包括使用濕剝離除去僅環(huán)繞所述晶片所述外邊緣的所述光刻膠掩模。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中所述除去僅環(huán)繞所述晶片的外邊緣的所述光刻膠掩模還包括除去僅環(huán)繞所述晶片所述外邊緣的僅2-3mm的所述光刻膠。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中所述沉積氣體的碳與氫比率的范圍從1:1到1:3。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中所述沉積氣體還包括氧氣。

8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中含碳、氫和氟的物種是氫氟碳化合物。

9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述氫氟碳化合物是CF₃、CH₂F₂和CH₃F中至少之一。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述蝕刻層包括硅。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述蝕刻層包括氧化硅、SiC和SiCOH中至少之一。

12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述沉積氣體還包括Ar、N₂和C₄F₈。

13.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述沉積氣體還包括含氟物種，以使所述聚合物層是氫氟碳聚合物。

14.如權(quán)利要求1所述的方法，其中除去僅環(huán)繞所述晶片所述外邊緣的所述光刻膠掩模包括使用濕剝離除去僅環(huán)繞所述晶片所述外邊緣的所述光刻膠掩模。

15.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述除去僅環(huán)繞所述晶片的外邊緣的所述光刻膠掩模還包括除去僅環(huán)繞所述晶片的外邊緣的僅2-3mm的所述光刻膠。

16.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述沉積氣體的碳與氫比率的范圍從1:1到1:3。

17.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述沉積氣體還包括氧氣。

18.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述沉積氣體還包括氟，并且其中含碳、氫和氟的物種是氫氟碳化合物。

19.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述沉積氣體包括CF₃、CH₂F₂和CH₃F中至少之一。

20.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述蝕刻層包括硅。