[發明專利]圖案化有機材料以同時形成絕緣體和半導體的方法以及由此制成的器件

有效

• 申請號: 200580037963.8
• 申請日: 2005-11-02
• 公開（公告）號: CN101053090A
• 公開（公告）日: 2007-10-10
• 發明（設計）人: F·J·托夫斯拉格;G·H·格林克
• 申請（專利權）人: 皇家飛利浦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L51/05
• 分類號: H01L51/05;H01L51/40
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 劉冬;段曉玲

1.一種制造電子器件的方法，所述方法包括以下步驟：

形成用于形成固化態的半導體材料的前體材料層；和

在光照和環境氧存在下加熱所述前體，在暴露于光的區域形成絕緣體，而在未暴露于光的區域形成半導體。

2.權利要求1的方法，其中所述加熱步驟包括使所述前體材料暴露于可見光區、紫外光區、紅外光區或至少兩個所述區的組合的光照。

3.權利要求2的方法，其中所述光包括強度0.1mW/cm²至1W/cm²的白光。

4.權利要求1的方法，其中所述加熱步驟包括用激光器使所述前體材料同時暴露于光和熱。

5.權利要求1的方法，其中所述加熱前體的步驟包括將所述前體加熱至150攝氏度以上。

6.權利要求1的方法，其中所述加熱前體的步驟包括在氧存在下加熱所述前體，以在暴露于光的區域形成氧化物。

7.權利要求1的方法，其中所述前體包括并五苯前體或并苯前體。

8.權利要求7的方法，其中所述并五苯前體在光照和環境氧的存在下被圖案化從而形成并五苯的氧化物，不需要沉積附加的光致抗蝕劑和不需要使用活性離子蝕刻。

9.權利要求1的方法，其中所述絕緣體包括醌。

10.權利要求9的方法，其中所述醌包括6，13-并五苯醌或更大的同屬材料。

11.權利要求1的方法，其中所述半導體材料包括并五苯。

12.權利要求1的方法，其中所述在光存在下加熱所述前體的步驟包括用光源在所選區域同時加熱和照射所述前體，接著在非光照區域加熱所述前體以形成半導體。