[發明專利]半導體器件及功率放大器有效
| 申請號： | 200580037810.3 | 申請日： | 2005-09-28 |
| 公開（公告）號： | CN101053151A | 公開（公告）日： | 2007-10-10 |
| 發明（設計）人： | 有家光夫;杉本泰崇 | 申請（專利權）人： | 株式會社村田制作所 |
| 主分類號： | H03F3/68 | 分類號： | H03F3/68;H03F3/21;H03F1/52 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人： | 李香蘭 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 功率放大器 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體器件，在輸入端子和輸出端子之間并聯連接有多個執 行高頻信號的功率放大的放大電路，
上述放大電路包括：集電極連接到上述輸出端子的雙極晶體管；振蕩 穩定電路，其連接在上述輸入端子和該雙極晶體管的基極之間，且對于低 頻信號成為電阻狀態，對于高頻信號成為短路狀態；以及鎮流電路，其一 端側連接到偏置端子且另一端側連接在該振蕩穩定電路和上述雙極晶體 管的基極之間，防止上述雙極晶體管的熱失控，
在上述輸入端子和偏置端子之間連接用于減少上述輸出端子側的高 頻信號的失真的低失真化電阻。
2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，通過并聯連接 了電阻和電容器的RC并聯電路構成上述振蕩穩定電路。
3.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，上述鎮流電路 由在上述偏置端子和上述雙極晶體管的基極之間連接的鎮流電阻構成。
4.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，上述雙極晶體 管由異質結雙極晶體管構成。
5.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，在彼此并聯連 接的狀態下，在半導體基板上整體式形成上述多個放大電路。
6.一種功率放大器，其使用上述權利要求1至5中任意一項所述的 半導體器件。
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