[發明專利]具有沉積氧化物的溝槽金屬氧化物半導體場效應晶體管

無效

• 申請號: 200580037551.4
• 申請日: 2005-10-31
• 公開（公告）號: CN101164149A
• 公開（公告）日: 2008-04-16
• 發明（設計）人: R·蒙哥馬利
• 申請（專利權）人: 國際整流器公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L31/119
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司
• 代理人: 周建秋;王鳳桐

1.一種功率半導體設備，包括：

半導體主體，包括具有一種導電性的漂移區以及在所述漂移區上具有另一種導電性的通道區；

至少通過所述通道區在所述半導體主體中形成的柵極溝槽，所述柵極溝槽包括側壁和底部壁；

設置在所述溝槽底部的氧化體；

形成在所述氧化體上的柵電極；以及

介于所述溝槽的側壁和所述柵電極之間的柵極氧化物，其中所述氧化體不如所述柵極氧化物緊致。

2.根據權利要求1所述的功率半導體設備，其中所述氧化體包括TEOS。

3.根據權利要求1所述的功率半導體設備，其中所述氧化體被沉積并且所述柵極氧化物被生成。

4.根據權利要求1所述的功率半導體設備，其進一步包括場釋放溝槽，所述場釋放溝槽包括具有凹部的場氧化體，以及至少部分容納于所述凹部內的T形電極。

5.根據權利要求4所述的功率半導體設備，其進一步包括電連接到所述T形電極的功率電極。

6.根據權利要求5所述的功率半導體設備，其進一步包括介于所述半導體主體和所述功率電極之間的硅化體。

7.根據權利要求5所述的功率半導體設備，其進一步包括介于所述T形電極和所述功率電極之間的硅化體。

8.根據權利要求1所述的功率半導體設備，其進一步包括

場釋放溝槽，該場釋放溝槽具有場氧化體以及置于場氧化體內的場電極，

至少一個高導電區，形成在場釋放溝槽的至少一個側壁中，具有與所述通道區相同的導電性，以及

功率電極，電連接到所述場電極和所述至少一個高導電區。

9.根據權利要求1所述的功率半導體設備，其進一步包括置于所述柵電極上的氧化物蓋。

10.一種制造功率半導體設備的方法，包括：

在半導體主體中形成溝槽，所述溝槽具有多個側壁以及一個底部；

在所述溝槽的底部沉積氧化體；以及

在所述氧化體上形成電極。

11.根據權利要求10所述的方法，其進一步包括在形成所述電極之前在所述側壁上生成柵極氧化物。

12.根據權利要求10所述的方法，其進一步包括在所述氧化體上的所述溝槽的各個側壁上形成隔片，所述隔片互相間隔，并且去除所述氧化體的局部以在其中形成凹部。

13.根據權利要求12所述的方法，其進一步包括在所述溝槽內側沉積導電體以至少填充所述凹部，并且去除所述導電體的局部以在所述溝槽中形成T形電極。

14.根據權利要求10所述的方法，其進一步包括形成具有多個側壁和一個底部的場釋放溝槽，在所述場釋放溝槽的所述底部形成另一個氧化體，在所述另一個氧化體上的所述場釋放溝槽的各個側壁上形成隔片，所述隔片互相間隔，并且去除所述氧化體的局部以在其中形成凹部。

15.根據權利要求14所述的方法，其進一步包括在所述場釋放溝槽內側沉積導電體以至少填充所述凹部，并且去除所述導電體的局部以在所述溝槽中形成T形電極。

16.根據權利要求15所述的方法，其進一步包括對所述半導體主體進行硅化，并且在所述半導體主體的所述硅化部分上形成功率接觸。

17.根據權利要求16所述的方法，其進一步包括對所述T形電極的局部進行硅化。

18.根據權利要求14所述的方法，其進一步包括在所述場釋放溝槽的所述側壁中形成高導電區，并且形成與所述高導電區電接觸的功率接觸。

19.根據權利要求10所述的方法，其進一步包括在所述溝槽的所述側壁中形成高導電區，并且形成與所述高導電區電接觸的功率接觸。