[發(fā)明專利]對(duì)鑲嵌結(jié)構(gòu)進(jìn)行平面化

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200580037427.8
• 申請(qǐng)日: 2005-11-02
• 公開（公告）號(hào): CN101053074A
• 公開（公告）日: 2007-10-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 菲特·恩古耶恩霍安;格雷亞·J·A·M·費(fèi)爾海登
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 皇家飛利浦電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/321
• 分類號(hào): H01L21/321;H01L21/768
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 陳瑞豐

1.一種在襯底中制造鑲嵌結(jié)構(gòu)的方法，包括步驟：

在襯底(10)上沉積導(dǎo)電犧牲層(20)；

刻蝕溝槽或凹槽(30)穿過犧牲層(20)進(jìn)入襯底(10)；

沉積阻擋層(40)，覆蓋溝槽或凹槽(30)的側(cè)壁和底部的內(nèi)表面，并且與犧牲層(20)電接觸；

沉積導(dǎo)電層(50)，并且過填充溝槽或凹槽(30)；以及

去除和/或平面化導(dǎo)電層(50)以形成鑲嵌結(jié)構(gòu)，選擇犧牲層(20)和阻擋層(40)的材料，使得在去除或平面化期間，犧牲層(20)與阻擋層(40)或與鑲嵌結(jié)構(gòu)電化學(xué)反應(yīng)，其中犧牲層減輕鑲嵌結(jié)構(gòu)、阻擋層的去除，并提供電化腐蝕防護(hù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述去除和/或平面化通過漿料拋光步驟來執(zhí)行。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，鑲嵌結(jié)構(gòu)由金屬性材料組成，并且犧牲層(20)由具有比鑲嵌結(jié)構(gòu)的拋光速率低的拋光速率的材料形成。

4.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的方法，其中，形成阻擋層(40)是ALCVD步驟。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的方法，其中，犧牲層(20)和阻擋層(40)包括不同的金屬性材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，阻擋材料(40)是WCN和/或TaN。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，犧牲層(20)和阻擋層(40)是以下的任意一種：

TaN犧牲層(20)以及WCN阻擋層(40)；

TiN犧牲層(20)以及WCN阻擋層(40)；

W犧牲層(20)以及WCN阻擋層(40)；

W犧牲層(20)以及TaN阻擋層(40)；

Al犧牲層(20)以及WCN阻擋層(40)；

Al犧牲層(20)以及TaN阻擋層(40)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的方法，其中，鑲嵌結(jié)構(gòu)由金屬材料形成，并且襯底(10)包括電介質(zhì)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的方法，其中，在形成犧牲層(20)的步驟之后通過形成圖案的步驟形成溝槽或凹槽(30)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的方法，其中，平面化包括包含過拋光的CMP。

11.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的方法，其中，在去除或平面化期間，犧牲層(20)提供對(duì)阻擋層(40)的電化腐蝕防護(hù)。

12.一種制造集成電路的方法，包括：如權(quán)利要求1所闡述的制造鑲嵌結(jié)構(gòu)的方法，以及在已平面化的表面上形成一個(gè)或更多另外的層的步驟。

13.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，阻擋層(40)由WCN或TaN形成。