[發明專利]鉬濺射靶有效
| 申請號: | 200580037265.8 | 申請日: | 2005-08-29 |
| 公開(公告)號: | CN101057000A | 公開(公告)日: | 2007-10-17 |
| 發明(設計)人: | B·勒蒙;J·希爾特;T·威維林;J·G·戴利三世;D·米恩德林;G·羅扎克;J·奧格拉迪;P·R·杰普森;P·庫馬;S·A·米勒;吳榮禎;D·G·施沃茨 | 申請(專利權)人: | H.C.施塔克公司 |
| 主分類號: | C22C27/04 | 分類號: | C22C27/04;B22F3/14;C23C14/34 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 呂彩霞;李連濤 |
| 地址: | 美國麻*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 濺射 | ||
1.一種鉬濺射靶,具有細的均勻晶粒尺寸以及基本沒有織構 條帶和從靶中心到邊緣的全厚度梯度的均勻織構,并具有至少99.5 重量%的純度,和為了提高性能而任選地被微合金化,其中晶粒尺 寸為至少45μm,以及細的均勻平均晶粒尺寸不超過125μm。
2.如權利要求1所述的鉬濺射靶,具有至少99.95重量%的純 度。
3.如權利要求1所述的鉬濺射靶,具有至少99.99重量%的純 度。
4.如權利要求1所述的鉬濺射靶,具有至少99.999重量%的 純度。
5.如權利要求1所述的鉬濺射靶,其中細的均勻平均晶粒尺 寸不超過100μm。
6.如權利要求1所述的鉬濺射靶,其中細的均勻平均晶粒尺 寸不超過90μm。
7.如權利要求1所述的鉬濺射靶,其中細的均勻平均晶粒尺 寸不超過50μm。
8.根據權利要求1的鉬濺射靶,其通過加入10ppm-1000ppm 的添加元素被微合金化,其中添加元素包括選自Ta、Nb、Cr、W、 V和它們的組合中的一種或多種金屬材料。
9.根據權利要求1或8的鉬濺射靶,具有選自管狀、圓形、 方形和矩形的形狀。
10.根據權利要求1或8的濺射靶,包括具有均勻織構的鉬, 其中110取向平行于縱向,111取向相對于徑向。
11.一種制造根據權利要求1或8的濺射靶的方法,包括:
A)將鉬粉末放在模具中,在32-40ksi的壓力下壓制粉末,并 在1780-2175℃溫度下燒結壓制塊形成毛坯;
B)除去毛坯的中心形成具有內徑ID1和外徑OD1的管狀毛坯;
C)加工管狀毛坯形成具有內徑ID和外徑ODf使得OD1對ODf的比為至少3∶1的加工毛坯;和
D)在815-1375℃的溫度下熱處理管狀毛坯。
12.一種制造根據權利要求1或8的濺射靶的方法,包括:
I)將鉬粉末放在模具中,在200MPa-250MPa的壓力下壓制粉 末,并在1780-2175℃溫度下燒結壓制塊形成具有直徑D0的毛坯;
II)擠壓毛坯形成具有直徑D2使得D0對D2的比為3∶1至5∶1 的擠壓毛坯;
III)在900-1300℃的溫度下對擠壓毛坯施加第一熱處理;
IV)在870-1200℃的溫度下鐓鍛擠壓毛坯形成具有直徑Df使 得Df對D2的比為1.5∶1至3∶1的鍛造毛坯;和
V)在1200-1400℃的溫度下對鍛造毛坯施加第二熱處理。
13.根據權利要求11或12的方法,其中等靜壓地分別進行A) 或I)中的壓制。
14.根據權利要求11或12的方法,其中分別在氫氣中燒結A) 或I)中的粉末。
15.根據權利要求11的方法,其中C)中的加工包括在925-1260 ℃的溫度下擠出管狀毛坯,或旋轉鍛造管狀毛坯。
16.根據權利要求11或12的方法,其中分別在D)或V)中 的熱處理后,濺射靶完全再結晶并且無應變。
17.根據權利要求11的方法,其中濺射靶織構是均勻的,110 平行于縱向,111相對于徑向。
18.根據權利要求11的方法,其中在1250-1375℃的溫度下進 行D)中的熱處理。
19.根據權利要求11的方法,其中在815-960℃的溫度下進行 D)中的熱處理。
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