[發明專利]包括具有氫流速漸變的光刻膠等離子體老化步驟的蝕刻方法

有效

• 申請號: 200580037064.8
• 申請日: 2005-09-23
• 公開（公告）號: CN101061436A
• 公開（公告）日: 2007-10-24
• 發明（設計）人: 克倫·雅各布斯·卡納里克;A·埃普勒
• 申請（專利權）人: 蘭姆研究有限公司
• 主分類號: G03F7/40
• 分類號: G03F7/40;H01L21/311;H01L21/027
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 郭廣迅;范赤

1.一種用于通過光刻膠掩模在襯底上方的蝕刻層中蝕刻特征的方法，包括：

將具有設置在光刻膠掩模下面的蝕刻層的襯底置于加工室中；

對光刻膠掩模進行老化；

向所述加工室提供蝕刻等離子體，其中所述蝕刻等離子體不同于老化等離子體；和

用所述蝕刻等離子體在蝕刻層中蝕刻特征；

其中，所述對光刻膠掩模進行老化包括：

向所述加工室提供老化氣體，所述老化氣體包括具有一定流速的碳氟化合物和氫氟碳化合物中的至少一種以及具有一定流速的含氫氣體；和

使所述老化氣體能量化以形成所述老化等離子體；

使老化氣體漸變，以使含氫氣體的流速與所述碳氟化合物和氫氟碳化合物中的至少一種的流速之比漸變下降；和

停止所述老化等離子體。

2.權利要求1的方法，其中所述含氫氣體是H₂。

3.權利要求1的方法，其中所述老化等離子體是原位等離子體。

4.權利要求1的方法，其中在光刻膠掩模和蝕刻層之間設置底部防反射涂層，其中所述光刻膠掩模的老化打開了底部防反射涂層。

5.權利要求1的方法，其中所述漸變是非線性漸變。

6.權利要求4的方法，其中所述老化在打開底部防反射涂層時提供至少100∶1的光刻膠選擇性。

7.權利要求1的方法，其中所述蝕刻層是介電層。

8.權利要求1的方法，其中所述含氫氣體是H₂，所述碳氟化合物是CF₄。

9.權利要求8的方法，其中所述老化氣體的初始H₂和CF₄的流速比為1∶10-2∶1，最終H₂和CF₄流速比為0-1∶20。

10.一種由權利要求1-9任一的方法形成的半導體芯片。

11.一種用于通過防反射涂層和光刻膠掩模在襯底上方的蝕刻層中蝕刻特征的方法，包括：

將具有設置在防反射涂層和光刻膠掩模下面的蝕刻層的襯底放置在加工室中；

打開防反射涂層；

向加工室提供蝕刻等離子體，其中所述蝕刻等離子體和老化等離子體不同；和

采用蝕刻等離子體通過防反射涂層和光刻膠掩模在蝕刻層中蝕刻特征；

其中所述打開防反射涂層包括：

向加工室提供老化氣體，所述老化氣體包括具有一定流速的碳氟化合物和氫氟碳化合物中的至少一種和具有一定流速的含氫氣體；和

使所述老化氣體能量化以形成老化等離子體；

使老化氣體漸變，以使含氫氣體的流速與所述碳氟化合物和氫氟碳化合物中的至少一種的流速之比漸變下降；和

在打開防反射涂層之后停止所述老化等離子體。

12.權利要求11的方法，其中所述含氫氣體是H₂。

13.權利要求11的方法，其中所述老化等離子體是原位等離子體。

14.權利要求11的方法，其中在打開防反射涂層時提供至少100∶1的光刻膠選擇性。

15.權利要求11的方法，其中所述含氫氣體是H₂，所述碳氟化合物是CF₄。

16.權利要求15的方法，其中所述老化氣體的初始H₂和CF₄的流速比為1∶2-5∶4，最終H₂和CF₄的流速比為0-1∶20。