[發(fā)明專利]絕緣柵極半導體器件及其生產方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200580036986.7 | 申請日： | 2005-09-28 |
| 公開（公告）號： | CN101048874A | 公開（公告）日： | 2007-10-03 |
| 發(fā)明（設計）人： | 高谷秀史;濱田公守;宮城恭輔;大倉康嗣;黑柳晃;戶倉規(guī)仁 | 申請（專利權）人： | 豐田自動車株式會社 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/739;H01L21/336;H01L21/331;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 | 代理人： | 柳春雷 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 絕緣 柵極 半導體器件 及其 生產 方法 | ||
【權利要求書】：
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結耗盡層或載流子集結層的電容器或電阻器；半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結耗盡層或載流子集結層的電容器或電阻器；半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
