[發明專利]發光的金（Ⅲ）化合物、其制備和含有它們的發光裝置有效
| 申請號： | 200580036932.0 | 申請日： | 2005-09-28 |
| 公開（公告）號： | CN101098946A | 公開（公告）日： | 2008-01-02 |
| 發明（設計）人： | 任詠華;黃文忠;郭海成;朱秀玲 | 申請（專利權）人： | 港大科橋有限公司;香港科技大學 |
| 主分類號： | C09K11/06 | 分類號： | C09K11/06;H05B33/14 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 張軼東;林森 |
| 地址： | 中國香港*** | 國省代碼： | 中國香港;81 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光 化合物 制備 含有 它們 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種具有下面通式(I)所示的化學結構的發光化合物，
其中
R1為鏈炔基，
R2-R4各自獨立地表示選自以下的基團：氫、鹵素、鏈炔基、烷 基、芳基、烷氧基、氨基、氰基、硝基、烷基羰基、烷氧基羰基、芳 基羰基、芳氧基羰基、一-或二烷基氨基羰基、烷基羰基氧基、芳基 羰基氧基、芳氧基、烷氧基羰基以及芳氧基羰基氧基；
X、Y和Z各自獨立地表示雜原子或碳；
表示芳族5-或6-員環；
α和β各自獨立地表示芳族5-或6-員環的橋或表示非環部分的 斷片；
C-X、C-Y和C-Z各自獨立地表示單鍵或雙鍵；
n表示0或整數；
p、q和r表示正整數。
2.一種發光裝置，其中將權利要求1的化合物用作發光層。
3.權利要求2的發光裝置，其中所述的化合物被沉積為薄膜。
4.權利要求3的發光裝置，其中通過升華、真空沉積和自旋涂層 來沉積所述的薄層。
5.權利要求2的發光裝置，其中權利要求1的化合物被用作發光 層中的摻雜劑。
6.權利要求5的發光裝置，其中所述化合物的發光帶最大值隨著 摻雜劑的濃度而改變。
7.一種制備具有與金(III)金屬中心配位的三齒配體和至少一個 鏈炔基的發光化合物的方法，包括下列反應：
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