[發(fā)明專利]電子電路基板及其制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200580036458.1 | 申請日： | 2005-10-21 |
| 公開（公告）號： | CN101053084A | 公開（公告）日： | 2007-10-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 中馬隆;大田悟;宮口敏 | 申請（專利權(quán)）人： | 先鋒株式會社 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/768;H01L51/50;G09F9/00;H05B33/26;H01L21/283 |
| 代理公司： | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 孫海龍 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電子 路基 及其 制造 方法 | ||
1、一種用于制造電子電路基板的制造方法，所述方法包括：
構(gòu)圖步驟，在基板上分別形成可陽極氧化的導(dǎo)體圖案以及與所述導(dǎo)體圖案相連接的配電圖案；以及
陽極氧化步驟，通過使電解液與所述導(dǎo)體圖案和所述配電圖案接觸并且在對其施加電流的同時進(jìn)行陽極氧化，從所述導(dǎo)體圖案和所述配電圖案產(chǎn)生氧化膜，所述圖案用作陽極，其中
在所述陽極氧化步驟中，通過使所述配電圖案氧化而形成絕緣體部分，所述絕緣體部分用于切斷所述配電圖案的導(dǎo)電路徑。
2、如權(quán)利要求1所述的用于制造電子電路基板的制造方法，其中，檢查從連接到所述導(dǎo)體圖案的經(jīng)陽極氧化的配電圖案形成的所述絕緣體部分是否存在，選擇存在所述絕緣體部分的基板，并且在所述基板上形成電子部件。
3、如權(quán)利要求1或2所述的用于制造電子電路基板的制造方法，其中，將第二導(dǎo)體圖案層疊在所述導(dǎo)體圖案上。
4、如權(quán)利要求1到3中任一項所述的用于制造電子電路基板的制造方法，其中，將所述配電圖案的寬度設(shè)置成一致的。
5、如權(quán)利要求1到3中任一項所述的用于制造電子電路基板的制造方法，其中，將所述配電圖案的寬度設(shè)置成多樣的。
6、如權(quán)利要求1到6中任一項所述的用于制造電子電路基板的制造方法，其中，將所述配電圖案的寬度設(shè)置成使得所述絕緣體部分偏向于其間布置有所述絕緣體部分的所述導(dǎo)體圖案之一。
7、如權(quán)利要求6所述的用于制造電子電路基板的制造方法，其中，將所述配電圖案的寬度設(shè)置成在所述陽極氧化步驟中當(dāng)施加電流時使得所述絕緣體部分偏向于所述配電圖案的正電勢的高電勢側(cè)而非低電勢側(cè)地布置。
8、如權(quán)利要求1到7中任一項所述的用于制造電子電路基板的制造方法，其中，將所述配電圖案的寬度設(shè)置成在所述陽極氧化步驟中形成這樣的絕緣體部分，在該絕緣體部分中，形成在所述配電圖案的側(cè)壁之一上的氧化膜與形成在另一側(cè)壁上的氧化膜成為一體。
9、如權(quán)利要求1到8中任一項所述的用于制造電子電路基板的制造方法，其中，所述絕緣體部分的寬度不大于所述氧化膜的膜厚度的兩倍。
10、如權(quán)利要求1到9中任一項所述的用于制造電子電路基板的制造方法，其中，所述電子部件是薄膜晶體管，并且所述導(dǎo)體圖案是所述薄膜晶體管的電極的一部分。
11、如權(quán)利要求1到10中任一項所述的用于制造電子電路基板的制造方法，其中，所述電子部件是有機電致發(fā)光器件，并且所述導(dǎo)體圖案是所述有機電致發(fā)光器件的電極的一部分。
12、一種電子電路基板，所述電子電路基板包括：
形成在基板上的可陽極氧化的導(dǎo)體圖案；
通過陽極氧化從所述導(dǎo)體圖案產(chǎn)生的布置在所述導(dǎo)體圖案上的氧化膜；和
形成在所述導(dǎo)體圖案的側(cè)壁之間的絕緣體部分。
13、如權(quán)利要求12所述的電子電路基板，其中，所述絕緣體部分是由與所述氧化膜相同的材料形成的。
14、如權(quán)利要求12或13所述的電子電路基板，其中，所述絕緣體部分的寬度不大于所述氧化膜的膜厚度的兩倍。
15、如權(quán)利要求12到14中任一項所述的電子電路基板，其中，在所述導(dǎo)體圖案上層疊有第二導(dǎo)體圖案。
16、如權(quán)利要求12到15中任一項所述的電子電路基板，其中，將所述絕緣體部分的寬度設(shè)置成一致的。
17、如權(quán)利要求12到15中任一項所述的電子電路基板，其中，將所述絕緣體部分的寬度設(shè)置成多樣的。
18、如權(quán)利要求12到17中任一項所述的電子電路基板，其中，在相鄰的導(dǎo)體圖案之間，所述絕緣體部分被布置成偏向于所述導(dǎo)體圖案之一。
19、如權(quán)利要求12到18中任一項所述的電子電路基板，其中，在與所述絕緣體部分相鄰的導(dǎo)體圖案的側(cè)壁的基板側(cè)上布置有導(dǎo)體突起。
20、如權(quán)利要求12到19中任一項所述的電子電路基板，其中，所述導(dǎo)體圖案是由金屬Ta、Al、Mg、Ti、Nb或Zr、或者這些金屬的合金或?qū)盈B體構(gòu)成的。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
