[發明專利]含有Ga的氮化物半導體單晶、其制造方法以及使用該結晶的基片和器件無效
| 申請號： | 200580034210.1 | 申請日： | 2005-08-05 |
| 公開（公告）號： | CN101035933A | 公開（公告）日： | 2007-09-12 |
| 發明（設計）人： | 清見和正;長岡裕文;太田弘貴;藤村勇夫 | 申請（專利權）人： | 三菱化學株式會社 |
| 主分類號： | C30B29/38 | 分類號： | C30B29/38;C23C16/01 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人： | 張平元;趙仁臨 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 含有 ga 氮化物 半導體 制造 方法 以及 使用 結晶 器件 | ||
【說明書】：
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