[發(fā)明專利]在形成硅化鎳之前對硅進(jìn)行的處理無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200580033542.8 | 申請日： | 2005-08-10 |
| 公開（公告）號： | CN101036230A | 公開（公告）日： | 2007-09-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 休－埃倫·克蘭克;希林·西迪基;德博拉·J·賴?yán)?/a>;特雷斯·昆廷·赫德;佩君·J·陳 | 申請（專利權(quán)）人： | 德州儀器公司 |
| 主分類號： | H01L29/12 | 分類號： | H01L29/12;H01L29/76;H01L21/283;H01L31/062;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人： | 王允方;劉國偉 |
| 地址： | 美國得*** | 國省代碼： | 美國;US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 形成 硅化鎳 之前 進(jìn)行 處理 | ||
【說明書】：
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
