[發(fā)明專利]獲取和集成納米線的系統(tǒng)和方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200580029912.0 | 申請日: | 2005-04-29 |
| 公開(公告)號: | CN101124659A | 公開(公告)日: | 2008-02-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | L·T·羅馬諾;陳建;段鑲鋒;R·S·杜布羅;S·A·恩培多克勒;J·L·戈德曼;J·M·漢密爾頓;D·L·希爾德;F·萊米;牛春明;潘堯令;G·蓬蒂斯;V·薩布;E·C·謝爾;D·P·斯頓博;J·A·懷特福德 | 申請(專利權(quán))人: | 納米系統(tǒng)公司 |
| 主分類號: | H01L21/20 | 分類號: | H01L21/20;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 | 代理人: | 王旭 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 獲取 集成 納米 系統(tǒng) 方法 | ||
1.一種獲取納米線的方法,該方法包括:
提供其上沉積有第一犧牲層的第一襯底,所述的第一犧牲層相對于第一半導(dǎo)體材料可以被選擇性溶解;
在第一犧牲層上生長納米線群,所述的納米線包含第一半導(dǎo)體材料;并且
在不溶解納米線的情況下選擇性溶解犧牲層,以從第一襯底上釋放納米線群。
2.權(quán)利要求1所述的方法,其中提供的第一半導(dǎo)體材料是硅,并且提供的犧牲層是氮化硅或二氧化硅。
3.權(quán)利要求1所述的方法,其中提供的第一半導(dǎo)體材料是硅,并且提供的犧牲層是選自鎢和鉬中的金屬。
4.一種獲取納米線的方法,該方法包括:
提供附著于生長襯底表面上的半導(dǎo)體納米線群;
將納米線群暴露于蝕刻劑,以從納米線群中除去犧牲層;并且
從生長襯底上獲取納米線群。
5.權(quán)利要求4所述的方法,其中提供的犧牲層是氧化物層。
6.權(quán)利要求4所述的方法,其中提供的犧牲層是氮化硅層。
7.權(quán)利要求4所述的方法,其中提供的犧牲層是在襯底上沉積的光致抗蝕劑層。
8.一種獲取納米線的方法,該方法包括:
提供附著于生長襯底表面上的半導(dǎo)體納米線群;并且
將在納米線群中的納米線的基部選擇性暴露于蝕刻劑,以從生長襯底上釋放納米線群。
9.一種獲取納米線的方法,該方法包括:
提供附著于生長襯底表面上的直立芯納米線群;
將第一內(nèi)殼層沉積在納米線芯群上,并且覆蓋生長襯底的表面;
在第一內(nèi)殼層上沉積第二外殼層,其中第二殼層可以有差別地從第一殼層上蝕刻;
至少選擇性蝕刻覆蓋襯底表面的第二外殼層部分;
至少選擇性蝕刻覆蓋襯底表面的內(nèi)殼層暴露部分,以暴露在納米線群中的芯納米線的端部;并且
蝕刻芯納米線的端部,以從生長襯底上釋放納米線。
10.一種以基本上對齊的定向向第一表面上沉積納米線的方法,該方法包括:
提供第一表面作為圓柱體的外表面;
放置圓柱體的部分外表面與納米線的流體懸浮體接觸;并且
滾動圓柱體,從而使第一表面的不同部分進出納米線的流體懸浮體。
11.權(quán)利要求10所述的方法,其中將納米線的流體懸浮體沉積到內(nèi)徑大于第一圓柱體的第二圓柱體中,并且放置至少一部分第一表面與流體懸浮體接觸包括:將第一圓柱體插入到第二圓柱體中,并且將第一和第二圓柱體中的至少一個分別圍繞第一或第二圓柱體的主軸旋轉(zhuǎn)。
12.權(quán)利要求11所述的方法,其中第一和第二圓柱體以不同的速度或以不同的方向旋轉(zhuǎn)。
13.一種以基本上對齊的定向向襯底的第一表面上涂布納米線的方法,該方法包括:
提供具有外表面和軸的涂布輥;
將涂布輥圍繞其軸旋轉(zhuǎn),以至少放置輥的部分外表面與納米線的流體懸浮體接觸;并且
相對于旋轉(zhuǎn)的涂布輥平移襯底的第一表面,以用納米線的流體懸浮體涂布襯底的第一表面。
14.權(quán)利要求13所述的方法,其中涂布輥以與襯底移動的方向相反的方向旋轉(zhuǎn)。
15.權(quán)利要求13所述的方法,其中涂布輥以與襯底移動的方向相同的方向旋轉(zhuǎn)。
16.一種以基本上對齊的定向向襯底的第一表面上涂布納米線的方法,該方法包括:
提供涂布輥,所述的涂布輥具有外表面、軸和在輥外表面上排列成系列條紋的納米線流體懸浮體;并且
相對于旋轉(zhuǎn)的涂布輥平移襯底的第一表面,從而在襯底的第一表面上以相應(yīng)的系列條紋用納米線流體懸浮體涂布襯底的第一表面。
17.一種以基本上對齊的定向向襯底的表面上涂布納米線的方法,該方法包括:
使用噴墨印刷機,以一個或多個形成圖案的區(qū)域,向襯底的表面上沉積包含許多納米線的溶液;
使用噴墨印刷機,橫過一個或多個形成圖案的區(qū)域沉積包含導(dǎo)電金屬墨的一個或多個電極對;并且
在所述的一個或多個電極對之間施加電場,從而在一個或多個形成圖案的區(qū)域中靜電地對齊在襯底的表面上的納米線。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





