[發(fā)明專利]制造具有通過納米線接觸的導(dǎo)電材料層的電子器件的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200580028778.2 | 申請日： | 2005-06-28 |
| 公開（公告）號： | CN101010793A | 公開（公告）日： | 2007-08-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 羅伯茨·T·F·范沙吉克;普拉哈特·阿佳維;埃里克·P·A·M·貝克斯;馬特吉·H·R·蘭赫斯特;米哈依爾·J·范杜里恩;亞伯拉罕·R·貝爾克南德;路易斯·F·費尼爾;皮埃爾·H·沃爾里 | 申請（專利權(quán)）人： | 皇家飛利浦電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768;H01L45/00 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 荷蘭艾*** | 國省代碼： | 荷蘭;NL |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 制造 具有 通過 納米 接觸 導(dǎo)電 材料 電子器件 方法 | ||
【說明書】：
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
