[發明專利]大氣壓化學汽相淀積

無效

• 申請號: 200580028243.5
• 申請日: 2005-08-02
• 公開（公告）號: CN101432458A
• 公開（公告）日: 2009-05-13
• 發明（設計）人: N·W·約翰斯頓;K·R·科爾曼約斯;N·A·賴特
• 申請（專利權）人: 太陽領域有限責任公司
• 主分類號: C23C14/06
• 分類號: C23C14/06;C23C14/56;C23C14/58
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 溫宏艷;趙蘇林

1.一種用于在大氣壓下涂覆襯底的方法，該方法包含下列步驟：

在加熱的惰性氣流中，在基本上大氣壓下，蒸發可控質量的半導體材料，以產生具有高于該半導體材料凝結溫度的溫度的流體混合物；

在基本上大氣壓下，引導該流體混合物到具有低于該半導體材料凝結溫度的溫度的襯底上；

在該襯底的表面上淀積一層該半導體材料；

蒸發、引導和淀積步驟重復至少一次，以在襯底上淀積至少一額外的半導體材料層，所淀積的最后一層半導體材料包含碲化鎘；和

用反應性氣體處理該碲化鎘層以重結晶該碲化鎘。

2.根據權利要求1的方法，其中，該半導體材料包含硫化鎘或碲化鎘。

3.根據權利要求1的方法，其中，該惰性氣體是氮。

4.根據權利要求1的方法，其中，該流體混合物的溫度范圍是從大約800攝氏度到大約1100攝氏度。

5.根據權利要求1的方法，其中，該襯底包含玻璃。

6.根據權利要求5的方法，其中，該玻璃具有透明的、電導性的低E涂層。

7.根據權利要求1的方法，其中，該襯底具有從大約585攝氏度到大約650攝氏度的溫度范圍。

8.根據權利要求1的方法，其中，該反應性氣體包含氯化氫。

9.一種用于在大氣壓下涂覆襯底的方法，該方法包含下列步驟：

在加熱的氮氣體流中，在基本上大氣壓下，蒸發可控質量的包含硫化鎘或碲化鎘的半導體材料，以產生具有從大約800攝氏度到大約1100攝氏度的溫度范圍的流體混合物；

在基本上大氣壓下引導該流體混合物到具有透明的、電導性的低E涂層并且具有從大約585攝氏度到大約650攝氏度的溫度范圍的玻璃襯底上；

在該襯底的表面上淀積一層半導體材料；

蒸發、引導和淀積步驟重復至少一次，以在襯底上淀積至少一額外的半導體材料層，所淀積的最后一層半導體材料包含碲化鎘；和

用反應性氣體處理該碲化鎘層以重結晶該碲化鎘。

10.根據權利要求9的方法，其中該反應性氣體包含氯化氫。