[發明專利]在等離子體處理系統中優化抗蝕能力的方法和裝置無效
| 申請號： | 200580027666.5 | 申請日： | 2005-06-14 |
| 公開（公告）號： | CN101263092A | 公開（公告）日： | 2008-09-10 |
| 發明（設計）人： | 山口葉子;喬治·斯托亞科維奇;艾倫·米勒 | 申請（專利權）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分類號： | C03C25/68 | 分類號： | C03C25/68;C23F1/00 |
| 代理公司： | 北京康信知識產權代理有限責任公司 | 代理人： | 余剛;尚志峰 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 等離子體 處理 系統 優化 能力 方法 裝置 | ||
1.?一種在包括等離子體處理室的等離子體處理系統中優化基板材料抗蝕能力的方法，包括以下步驟：
使預涂氣體混合物流入所述等離子體處理室，其中，所述預涂氣體混合物對蝕刻劑氣流混合物具有親和力；
從所述預涂氣體混合物中撞擊出第一等離子體；
引入包括所述基板材料的基板；
使所述蝕刻劑氣體混合物流入所述等離子體處理室；
從所述蝕刻劑氣體混合物中撞擊出第二等離子體；以及
利用所述第二等離子體蝕刻所述基板，
其中，所述第一等離子體在所述等離子體處理室中的一組暴露表面上形成預涂殘留物，并且基本上保持所述基板材料的所述抗蝕能力。
2.?根據權利要求1所述的方法，還包括步驟：在所述流入預涂物步驟之前，使用無晶室清潔工藝來清潔所述等離子體處理室。
3.?根據權利要求1所述的方法，其中，所述蝕刻劑氣體混合物還包括蝕刻劑物。
4.?根據權利要求3所述的方法，其中，所述預涂殘留物與所述蝕刻劑物進行化學作用，以生成鈍化物。
5.?根據權利要求4所述的方法，其中，所述鈍化物涂覆所述基板材料。
6.?根據權利要求1所述的方法，其中，所述基板材料包括光刻膠。
7.?根據權利要求1所述的方法，其中，所述基板材料包括BARC。
8.?根據權利要求1所述的方法，其中，所述基板材料包括無機材料。
9.?根據權利要求1所述的方法，其中，所述基板材料包括硅。
10.?根據權利要求1所述的方法，其中，所述預涂氣體混合物包括O2。
11.?根據權利要求1所述的方法，其中，所述預涂氣體混合物包括HBr。
12.?根據權利要求1所述的方法，其中，所述預涂氣體混合物包括Cl2。
13.?根據權利要求1所述的方法，其中，所述預涂氣體混合物包括He。
14.?根據權利要求1所述的方法，其中，所述預涂氣體混合物包括N2。
15.?根據權利要求1所述的方法，其中，所述預涂氣體混合物包括Ar。
16.?根據權利要求1所述的方法，其中，所述預涂氣體混合物包括CF4。
17.?根據權利要求1所述的方法，其中，所述預涂氣體混合物包括CH2F2。
18.?根據權利要求1所述的方法，其中，所述預涂氣體混合物包括CHF3。
19.?根據權利要求1所述的方法，其中，所述預涂氣體混合物包括CHxFy，其中，x和y是整數。
20.?根據權利要求1所述的方法，其中，所述預涂氣體混合物包括SiCl4。
21.?根據權利要求1所述的方法，其中，所述預涂氣體混合物包括SF6。
22.?根據權利要求1所述的方法，其中，所述預涂氣體混合物包括NF3。
23.?根據權利要求1所述的方法，其中，所述基板為半導體晶片。
24.?根據權利要求1所述的方法，其中，所述基板為玻璃面板。
25.?一種在包括等離子體處理室的等離子體處理系統中優化基板材料抗蝕能力的方法，包括以下步驟：
使用無晶室清潔工藝清潔所述等離子體處理室；
使預涂氣體混合物流入所述等離子體處理室，其中，所述預涂氣體混合物對蝕刻劑氣流混合物具有親和力；
從所述預涂氣體混合物中撞擊出第一等離子體；
引入包括所述基板材料的基板；
使所述蝕刻劑氣體混合物流入所述等離子體處理室；
從所述蝕刻劑氣體混合物中撞擊出第二等離子體；以及
利用所述第二等離子體蝕刻所述基板，
其中，所述第一等離子體在所述等離子體處理室中的一組暴露表面上形成鈍化物，并且基本上保持所述基板材料的所述抗蝕能力。
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