[發明專利]用于熱敏電阻器降噪的接地結構無效
| 申請號: | 200580025859.7 | 申請日: | 2005-06-29 |
| 公開(公告)號: | CN101098786A | 公開(公告)日: | 2008-01-02 |
| 發明(設計)人: | A·J·阿赫內;G·K·帕里什;K·M·羅 | 申請(專利權)人: | 萊克斯馬克國際公司 |
| 主分類號: | B41J2/05 | 分類號: | B41J2/05;B41J2/01;H01C7/06 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 | 代理人: | 張祖昌 |
| 地址: | 美國肯*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 熱敏 電阻器 接地 結構 | ||
1.一種噴墨打印頭,包括:
被構造成具有低電壓端的熱敏電阻器;以及
至少部分地封裝熱敏電阻器并在低電壓端與熱敏電阻器相連的接地結構。
2.如權利要求1所述的噴墨打印頭,其特征在于,還包括與接地結構隔開的噴射器芯片接地裝置。
3.如權利要求2所述的噴墨打印頭,其特征在于,還包括與接地結構電連接并被構造成繞過噴射器芯片接地裝置的打印頭接地裝置。
4.如權利要求1所述的噴墨打印頭,其特征在于,還包括靠近接地結構定位并被構造成產生熱量的加熱器。
5.如權利要求1所述的噴墨打印頭,其特征在于,還包括被構造成被激勵并噴墨的換能器。
6.如權利要求1所述的噴墨打印頭,其特征在于,還包括靠近接地結構定位的場效應晶體管(“FET”)。
7.如權利要求1所述的噴墨打印頭,其特征在于,熱敏電阻器包括植入P型基片的N型材料。
8.如權利要求1所述的噴墨打印頭,其特征在于,接地結構包括P型材料。
9.一種噴墨打印設備,包括:
打印設備的接地裝置;以及
打印頭,其具有打印頭芯片接地裝置和至少部分地封裝熱敏電阻器的接地結構,熱敏電阻器具有與接地結構相連的低電壓端,并且打印設備的接地裝置由此繞過打印頭芯片的接地裝置。
10.如權利要求9所述的噴墨打印設備,其特征在于,還包括靠近接地結構定位并被構造成產生熱量的加熱器。
11.如權利要求9所述的噴墨打印設備,其特征在于,還包括被構造成被激勵并噴墨的換能器。
12.如權利要求9所述的噴墨打印設備,其特征在于,還包括靠近接地結構定位的場效應晶體管(“FET”)。
13.如權利要求9所述的噴墨打印設備,其特征在于,熱敏電阻器包括植入P型基片的N型材料。
14.如權利要求9所述的噴墨打印設備,其特征在于,接地結構包括P型材料。
15.一種噴射器芯片,包括:
被構造成具有第一噴射器芯片接地電位的噴射器芯片接地裝置;
與噴射器芯片接地裝置電隔離并被構造成與具有第二接地電位的第二接地裝置相連的結合墊;
與結合墊相連由此具有第二接地電位的接地結構;以及
與結合墊相連由此也具有第二接地電位的熱敏電阻器。
16.如權利要求15所述的噴射器芯片,其特征在于,結合墊使噴射器芯片與打印設備接地裝置電連接并由此繞開噴射器芯片接地裝置。
17.如權利要求15所述的噴射器芯片,其特征在于,還包括靠近接地結構定位并被構造成產生熱量的加熱器。
18.如權利要求15所述的噴射器芯片,其特征在于,還包括被構造成被激勵并噴墨的換能器。
19.如權利要求15所述的噴射器芯片,其特征在于,還包括靠近接地結構定位的場效應晶體管(“FET”)。
20.如權利要求15所述的噴射器芯片,其特征在于,熱敏電阻器包括植入P型基片的N型材料。
21.如權利要求15所述的噴射器芯片,其特征在于,接地結構包括P型材料。
22.一種在具有噴射器芯片接地裝置的噴射器芯片內上植入熱敏電阻器內降噪的方法,所述方法包括以下步驟:
確定在熱敏電阻器處與噴射器芯片接地裝置電隔離的低電壓端;
用接地結構至少部分地封裝熱敏電阻器;以及
使接地結構與熱敏電阻器的低電壓端相連。
23.如權利要求22所述的方法,其特征在于,還包括使熱敏電阻器的低電壓端與不同于噴射器芯片接地裝置的打印機接地裝置相連的步驟。
24.如權利要求22所述的方法,其特征在于,至少部分地封裝熱敏電阻器還包括將P型材料植入熱敏電阻器的步驟。
25.如權利要求22所述的方法,其特征在于,還包括靠近接地結構定位換能器的步驟。
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