[發明專利]存儲器件，晶體管，存儲單元，以及其制造方法

有效

• 申請號: 200580025205.4
• 申請日: 2005-07-25
• 公開（公告）號: CN101288166A
• 公開（公告）日: 2008-10-15
• 發明（設計）人: C·穆利
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L21/82
• 分類號: H01L21/82;H01L27/06;H01L27/105
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 王允方;劉國偉

1、一種存儲器件，包含：

半導電襯底；

在襯底上方的存儲單元陣列，獨立存儲單元中的至少一些包括包含SiC的半導電襯底的碳化部分；以及

在襯底上方的包括存儲單元尋址電路和存儲單元讀取電路的外圍器件，至少一些外圍器件不包括任何半導電襯底的碳化部分。

2、權利要求1的器件，其中碳化部分被導電摻雜。

3、權利要求1的器件，其中獨立存儲單元的每一個中的至少一個部件包括其中一個碳化部分。

4、權利要求1的器件，其中外圍器件中沒有一個包括其中一個碳化部件。

5、權利要求1的器件，其中半導電襯底包括單晶硅。

6、權利要求1的器件，其中半導電襯底包括外延硅。

7、權利要求1的器件，其中獨立存儲單元中的至少一些包含半導電襯底中的平坦SiC層以及在第一源/漏極、第二源/漏極、和第一與第二源/漏極之間的溝道中包括該SiC層的晶體管。

8、權利要求1的器件，其中獨立存儲單元中的至少一些包含晶體管，其包括：

第一源/漏極；

第二源/漏極；

在第一和第二源/漏極之間包含其中一個碳化部分的溝道；以及

在操作上與該溝道的相對側相關聯的柵極。

9、權利要求8的器件，其中所述晶體管包含溝道在高度上位于第一源/漏極上方以及第二源/漏極在高度上位于溝道上方的垂直晶體管。

10、權利要求8的器件，其中所述晶體管包含第一源/漏極、第二源/漏極、柵極、和通過溝道的電流路徑中的每一個的某一部分共享一個公共高度水平的橫向晶體管。

11、權利要求8的器件，進一步包含在柵極和溝道之間的柵電介質，溝道的SiC位于最接近與柵電介質的界面的溝道外圍內并且不位于至少部分地由SiC包圍的溝道核心內，該溝道核心從第一源/漏極延伸到第二源/漏極。

12、權利要求1的器件，其中獨立存儲單元中的至少一些包含晶體管，其包括：

第一源/漏極；

第二源/漏極；

在第一和第二源/漏極之間凹進到半導電襯底中的柵極；以及

在操作上與柵極的相對側相關聯的包含其中一個碳化部分的溝道。

13、權利要求1的器件，其中獨立存儲單元中的至少一些包含：

在半導電襯底中的第一晶體管源/漏區域；

在半導電襯底中的第二晶體管源/漏區域；

在第一和第二源/漏區域之間不包含SiC的晶體管溝道；以及

在第一源/漏區域上的存儲節點結和在第二源/漏區域上的數字節點結，該存儲節點結和/或數字節點結包括其中一個碳化部分。

14、權利要求13的器件，其中如果存儲節點結包含碳化部分，那么SiC具有從約200到約500埃的厚度，以及如果數字節點結包含碳化部分，那么SiC具有從約50到約150埃的厚度。

15、權利要求13的器件，其中包含碳化部分的存儲和/或數字節點結在相應源/漏區域的外延硅上，該外延硅在高度上位于溝道上方。

16、由DRAM、SRAM、或快閃存儲器所包括的權利要求1的器件。

17、一種隨機存取存儲器件，包含：

硅襯底；

在襯底上方的存儲單元陣列，獨立存儲單元中的每一個包括在半導電襯底中的導電摻雜的平坦SiC層以及包括晶體管，該晶體管在第一源/漏極、第二源/漏極、以及在第一與第二源/漏極之間的溝道中包括該SiC層；以及

包括在襯底上方的存儲單元尋址電路和存儲單元讀取電路的外圍器件，所述外圍器件中沒有一個包括半導電襯底中的任何SiC層。

18、權利要求17的器件，其中半導電襯底包括單晶硅。

19、權利要求17的器件，其中半導電襯底包括外延硅。