[發明專利]形成具有匹配幾何形狀的集成電路部件的系統和方法無效
| 申請號: | 200580023835.8 | 申請日: | 2005-07-14 |
| 公開(公告)號: | CN101416279A | 公開(公告)日: | 2009-04-22 |
| 發明(設計)人: | K·G·格林 | 申請(專利權)人: | 凸版光掩膜公司 |
| 主分類號: | H01L21/20 | 分類號: | H01L21/20 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 張雪梅;王忠忠 |
| 地址: | 美國德*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 形成 具有 匹配 幾何 形狀 集成電路 部件 系統 方法 | ||
技術領域
本發明總體上涉及集成電路制造,更尤其涉及一種形成具有匹配幾何形狀的集成電路部件的系統和方法。
背景技術
集成電路裝置通常包括多種電路部件,例如多種晶體管、電阻器和電容器。使用多種集成電路制造技術,例如多種沉積和光刻技術,通過在半導體晶片(例如硅晶片)中形成特定的幾何形狀,可以制造這種集成電路部件。在一些例子中,集成電路裝置的兩個或者更多個電部件彼此相關,使得這些電部件中的一個或者多個特性必須“匹配”,以便使集成電路裝置正確地或者按照需要運行。例如,可能必要的是,集成電路裝置中的特定電阻器對提供相同量的電阻,以便使裝置正確地運行。作為另一個例子,可能必要的是,集成電路裝置中的特定電容器對提供相同量的電容,以便使裝置正確地或者按照需要運行。
為了提供具有“匹配的”電特性的這種部件,已經對在半導體晶片中形成具有相同幾何形狀的部件作出了嘗試。然而,多種因素通常導致形成在半導體晶片中的集成電路部件的幾何形狀的缺陷和不一致,例如包括在集成電路部件的形成中使用的光掩模中形成的幾何形狀的缺陷、和集成電路部件的光刻成像有關的缺陷、和用于光刻成像工藝的透鏡有關的缺陷、和/或在光刻成像工藝期間由光反射導致的缺陷。
如果確定需要匹配的一對集成電路部件實際上不匹配,則可以修改半導體晶片上的該對部件中的一個或者兩個的物理幾何形狀。例如,使用常規的技術,可以將“凸出部(tab)”激光燒蝕到這些部件的一個或者兩個,直到確定這些部件的相關特性或者特性(例如,一個或者多個電特性)匹配為止。對半導體晶片上的這些部件的這種處理可能增加循環時間和人力,其可能降低效率并由此增加制造集成電路裝置的成本。
發明內容
根據本發明的教導,已經基本上減少或者消除了和在晶片上形成關鍵幾何形狀集成電路部件相關的缺點和問題。在特定實施例中,使用第一光刻工藝在管芯上形成第一類型的集成電路部件的第一集成電路部件,以及使用第二光刻工藝在管芯上形成第一類型的集成電路部件的第二集成電路部件。
在一個實施例中,提供了形成集成電路部件的方法。形成第一光掩模,第一光掩模包括具有和第一類型的集成電路部件對應的第一幾何形狀的第一掩模部件。執行第一光刻工藝以將第一光掩模的第一掩模部件的第一幾何形狀轉移到半導體晶片上的第一管芯上的第一位置,以在第一管芯上形成第一類型的集成電路部件的第一集成電路部件。執行第二光刻工藝以將第一光掩模的第一掩模部件的第一幾何形狀轉移到半導體晶片上的第一管芯上的第二位置,以在第一管芯上形成第一類型的集成電路部件的第二集成電路部件。
在另一個實施例中,提供了集成電路裝置。該集成電路裝置包括第一類型的集成電路部件的第一集成電路部件和第一種類型的集成電路部件的第二集成電路部件。第一集成電路部件設置在半導體晶片上的第一管芯上的第一位置處,并至少通過以下步驟形成:形成包括具有對應于第一類型的集成電路部件的第一幾何形狀的第一掩模的第一光掩模;并執行第一光刻工藝,以將第一光掩模的第一掩模部件的第一幾何形狀轉移到第一管芯上的第一位置,以形成第一集成電路部件。第二集成電路部件設置在半導體晶片上的第一管芯上的第二位置處,并至少通過以下步驟形成:執行第二光刻工藝,以將第一光掩模的第一掩模部件的第一幾何形狀轉移到第一管芯上的第二位置,以形成第二集成電路部件。
本公開的一個優點是可以提供形成具有基本上相同的幾何形狀的關鍵幾何形狀集成電路部件的系統和方法。尤其是,通過使用光掩模上的單一圖案幾何形狀將特定集成電路部件的多個范例(instance)形成在管芯的不同位置上,和用于形成這些部件的現有技術相比,可以減小各個集成電路部件之間的幾何形狀差異。結果,可以減少或者消除校正晶片上的集成電路部件所需的修復(例如激光燒蝕修復)的數量,其被發現具有“不匹配的”、不準確的或者另外不希望有的幾何形狀,由此減少循環時間,增加產量,和/或降低成本。
這些技術優點的全部、一些或者沒有一個可以存在于本發明的多種實施例中。從下述的附圖、說明書和權利要求,其它的技術優點對于本領域技術人員可以是顯而易見的。
附圖說明
通過結合附圖參考下述的描述可以獲得更全面和徹底地理解本實施例及其優點,其中類似的參考數字表示類似的特征,以及其中:
圖1示出了包括多個管芯或者芯片的實例半導體晶片的頂視圖,每個包括一個或者多個根據本發明形成的集成電路;
圖2示出了圖1的半導體晶片的單個管芯,其包括根據本發明的實施例形成的集成電路部件;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





