[發(fā)明專利]用于處理基板的外周部的方法及設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200580023196.5
• 申請日: 2005-07-08
• 公開（公告）號: CN101124663A
• 公開（公告）日: 2008-02-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 野上光秀;長谷川平;功刀俊介
• 申請（專利權(quán)）人: 積水化學(xué)工業(yè)株式會社
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H01L21/304;H01L21/306;C23F4/00
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 宋合成

1.一種用于處理基板的外周部的方法，其中涂覆在基板的外周部上的不需要的物質(zhì)通過使其與反應(yīng)性氣體接觸而被去除，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

通過臺支撐所述基板，以便使所述基板的鄰近外周部的部分以所述基板的外周部從所述臺突出的方式與臺的支撐表面接觸；

利用熱光局部加熱在所述基板的突出的外周部的目標(biāo)位置；

將所述反應(yīng)性氣體供給到所述目標(biāo)位置；和

通過至少設(shè)置在所述臺的外周部處、并且不設(shè)置在中央部分處的吸熱裝置對所述基板的所述外周部的緊接的內(nèi)部部分進(jìn)行吸熱，或者通過設(shè)置在所述臺的整個(gè)區(qū)域內(nèi)的吸熱裝置對整個(gè)支撐表面進(jìn)行吸熱，致使從不應(yīng)被去除的膜上吸熱，所述膜涂覆在所述基板的外周部內(nèi)部的區(qū)域上，

所述目標(biāo)位置和所述緊接的內(nèi)部部分在所述臺的外部和內(nèi)部分離，所述目標(biāo)位置置于所述臺的外周部的外部，所述緊接的內(nèi)部部分置于所述臺的外周部的內(nèi)部。

2.一種用于處理基板的外周部的設(shè)備，其中涂覆在基板的外周部上的不需要的物質(zhì)通過使其與反應(yīng)性氣體接觸而被去除，其特征在于，所述設(shè)備包括：

(a)臺，所述臺包括支撐表面，所述支撐表面用于將所述基板支撐在其上，以便使所述基板的鄰近外周部的部分以所述基板的外周部從所述臺突出的方式與支撐表面接觸；

(b)輻射加熱器，所述輻射加熱器包括用于將熱光局部照射到目標(biāo)位置的照射器，所述目標(biāo)位置在所述臺支撐的所述基板的突出的外周部上；

(c)反應(yīng)性氣體供給裝置，所述反應(yīng)性氣體供給裝置用于將所述反應(yīng)性氣體供給到所述目標(biāo)位置；和

(d)吸熱裝置，所述吸熱裝置至少設(shè)置在所述臺的外周部處、并且不設(shè)置在中央部分處，并且用于對所述基板的所述外周部的緊接的內(nèi)部部分進(jìn)行吸熱，或者所述吸熱裝置設(shè)置在所述臺的整個(gè)區(qū)域內(nèi)，用于對整個(gè)支撐表面進(jìn)行吸熱，致使從不應(yīng)被去除的膜上吸熱，所述膜涂覆在所述基板的外周部內(nèi)部的區(qū)域上，

所述目標(biāo)位置和所述緊接的內(nèi)部部分在所述臺的外部和內(nèi)部分離，所述目標(biāo)位置置于所述臺的外周部的外部，所述緊接的內(nèi)部部分置于所述臺的外周部的內(nèi)部。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于處理基板的外周部的設(shè)備，其中所述吸熱裝置利用冷卻器冷卻所述臺。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于處理基板的外周部的設(shè)備，其中作為所述吸熱裝置的冷卻介質(zhì)室形成在所述臺內(nèi)，且所述冷卻介質(zhì)室與供給冷卻介質(zhì)的冷卻介質(zhì)供給通路和排出冷卻介質(zhì)的冷卻介質(zhì)排出通路連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于處理基板的外周部的設(shè)備，其中作為所述吸熱裝置的冷卻介質(zhì)通路設(shè)置在所述臺上，且所述冷卻介質(zhì)穿過所述冷卻介質(zhì)通路。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于處理基板的外周部的設(shè)備，其中所述冷卻介質(zhì)通路包括多個(gè)同心環(huán)形通路，和用于將所述環(huán)形通路相互連接的連通通路。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于處理基板的外周部的設(shè)備，其中所述吸熱裝置僅設(shè)置在所述臺的外周部處且不設(shè)置在中央部分處，所述臺在所述外周部處設(shè)有用于吸附所述基板的卡持機(jī)構(gòu)且在所述中央部分處設(shè)有凹部，所述凹部相對于設(shè)置所述卡持機(jī)構(gòu)的區(qū)域下陷。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于處理基板的外周部的設(shè)備，其中所述臺的支撐表面具有環(huán)形形狀，所述環(huán)形形狀在其中心部具有凹部。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于處理基板的外周部的設(shè)備，其中臺設(shè)置有卡持機(jī)構(gòu)，所述卡持機(jī)構(gòu)用于僅在所述臺的外周部處吸附所述基板。

10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于處理基板的外周部的設(shè)備，其中所述反應(yīng)性氣體供給裝置包括用于將所述反應(yīng)性氣體噴射出到所述目標(biāo)位置的噴射端口，并且所述噴射端口與距離所述照射器相比更接近所述目標(biāo)位置。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的用于處理基板的外周部的設(shè)備，其中：

所述照射器被設(shè)置為面對由所述臺支撐的所述基板的外周部的背側(cè)，并且

所述噴射端口被設(shè)置為面對由所述臺支撐的所述基板的背側(cè)或外端面。

12.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于處理基板的外周部的設(shè)備，其中所述照射器從所述支撐表面的徑向向外下傾的方向?qū)峁獬蛩瞿繕?biāo)位置照射。