[發(fā)明專利]等離子體離子注入系統(tǒng)的原位處理室制備方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200580020329.3 | 申請(qǐng)日： | 2005-05-19 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN1977351A | 公開(kāi)（公告）日： | 2007-06-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 維克拉姆·辛格;阿圖爾·古普塔;哈羅爾德·M·佩爾欣;史蒂文·R·沃爾瑟;安妮·L·泰斯托尼 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 瓦里安半導(dǎo)體設(shè)備聯(lián)合公司 |
| 主分類號(hào)： | H01J37/32 | 分類號(hào)： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 顧晉偉;劉繼富 |
| 地址： | 美國(guó)馬*** | 國(guó)省代碼： | 美國(guó);US |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 等離子體 離子 注入 系統(tǒng) 原位 處理 制備 方法 | ||
【說(shuō)明書(shū)】：
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