[發(fā)明專利]光學(xué)計量中的形狀粗糙度測量有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200580019937.2 | 申請日: | 2005-05-12 |
| 公開(公告)號: | CN101128835A | 公開(公告)日: | 2008-02-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 喬格·比斯徹夫;牛新惠 | 申請(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號: | G06G7/48 | 分類號: | G06G7/48;G01B11/30 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人: | 柳春雷 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光學(xué) 計量 中的 形狀 粗糙 測量 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及光學(xué)計量,更具體地說,涉及光學(xué)計量中的形狀粗糙度測量。
背景技術(shù)
光學(xué)計量包括將入射光束導(dǎo)向某個結(jié)構(gòu),對造成的衍射光束進行測量,并對衍射光束進行分析以確定該結(jié)構(gòu)的各種特性,例如輪廓。在半導(dǎo)體制造中,光學(xué)計量通常用于質(zhì)量保證。例如,在半導(dǎo)體晶片上的半導(dǎo)體芯片附近制造周期性柵格之后,用光學(xué)計量系統(tǒng)來確定該周期性柵格的輪廓。通過確定周期性柵格的輪廓,可以評價用于形成周期性柵格的制造處理質(zhì)量,并擴展到對緊挨周期性柵格的半導(dǎo)體芯片質(zhì)量進行評價。
傳統(tǒng)的光學(xué)計量用于確定形成于半導(dǎo)體晶片上的結(jié)構(gòu)的決定性輪廓。例如,傳統(tǒng)的光學(xué)計量用于確定結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵尺寸。但是,這些結(jié)構(gòu)的形成可能受到各種各樣的隨機影響,例如邊緣粗糙度等,這是采用傳統(tǒng)光學(xué)計量測不到的。
發(fā)明內(nèi)容
在一種示例性實施例中,通過定義結(jié)構(gòu)的初始模型而產(chǎn)生模擬衍射信號,所述模擬衍射信號用于使用光學(xué)計量對晶片上形成的結(jié)構(gòu)的形狀粗糙度進行測量。定義了形狀粗糙度的統(tǒng)計函數(shù)。根據(jù)統(tǒng)計函數(shù)導(dǎo)出統(tǒng)計微擾并疊加在結(jié)構(gòu)的初始模型上以定義結(jié)構(gòu)的修改模型。根據(jù)結(jié)構(gòu)的修改模型產(chǎn)生模擬衍射信號。
附圖說明
參考下面的說明,結(jié)合附圖,可以對本申請有最佳的理解,在附圖中,相同的部分可由相同的標號表示。
圖1圖示了一種示例性光學(xué)計量系統(tǒng);
圖2A-2E圖示了結(jié)構(gòu)的各種假想輪廓;
圖3圖示了一種示例性一維結(jié)構(gòu);
圖4圖示了一種示例性二維結(jié)構(gòu);
圖5是一種示例性結(jié)構(gòu)的俯視圖;
圖6是另一種示例性結(jié)構(gòu)的俯視圖;
圖7是用于產(chǎn)生模擬衍射信號的一種示例性處理;
圖8A是一種示例性結(jié)構(gòu)的初始模型;
圖8B是圖8A所示示例性結(jié)構(gòu)的修改模型;
圖9A是另一種示例性結(jié)構(gòu)的初始模型;
圖9B是圖9A所示示例性結(jié)構(gòu)的修改模型;
圖10圖示了針對一組示例性結(jié)構(gòu)定義的基本單元;
圖11A圖示了圖10所示基本單元之一,它具有初始模型;
圖11B圖示了圖11A所示基本單元,它具有修改模型;
圖12A圖示了經(jīng)過離散化的圖11B所示基本單元;
圖12B圖示了圖12A所示離散化基本單元的一部分;
圖13圖示了針對另一組示例性結(jié)構(gòu)定義的基本單元;
圖14A圖示了圖13所示基本單元之一,它具有初始模型;
圖14B圖示了圖14A所示基本單元,它具有修改模型;
圖15A圖示了經(jīng)過離散化的圖14B所示基本單元;
圖15B圖示了圖15A所示離散化基本單元的一部分;
圖16A圖示了垂直方向上定義的一種示例性初始模型;
圖16B圖示了一種示例性修改模型,它是用垂直方向上定義的形狀粗糙度的統(tǒng)計函數(shù)對圖16A所示示例性初始模型進行疊加之后的模型;
圖16C圖示了經(jīng)過離散化的圖16B所示修改模型。
具體實施方式
下面的說明闡述了各種具體結(jié)構(gòu)、參數(shù)等。但是應(yīng)當(dāng)明白,這樣的說明并非意在對本發(fā)明的范圍進行限制,而是為了對示例性實施方式進行說明。
1.光學(xué)計量
參考圖1,光學(xué)計量系統(tǒng)100可以用于對結(jié)構(gòu)進行檢測和分析。例如,光學(xué)計量系統(tǒng)100可以用于確定晶片104上形成的周期性柵格102的輪廓。如前所述,周期性柵格102可以形成于晶片104上的測試區(qū)域,例如在晶片104上形成的器件附近。或者,周期性柵格102可以形成于器件中不會干涉到器件工作的區(qū)域,或者沿著晶片104的劃線形成。
如圖1所示,光學(xué)計量系統(tǒng)100可以包括光度測量裝置,光度測量裝置具有光源106和檢測器112。周期性柵格102由來自光源106的入射光束108照明。在所示的示例性實施例中,入射光束108相對于周期性柵格102的法線以入射角θi和方位角Φ(即,入射光束108的平面與周期性柵格102的周期方向之間的夾角)導(dǎo)向周期性柵格102上。衍射光束相對于法線以角度θd離開并由檢測器112接收。檢測器112將衍射光束110轉(zhuǎn)換為測得衍射信號。
為了確定周期性柵格102的輪廓,光學(xué)計量系統(tǒng)100包括處理模塊114,處理模塊114設(shè)置為接收測得衍射信號并對測得衍射信號進行分析。如下面將要說明的,此后可以采用基于庫的處理或基于回歸的處理來確定周期性柵格102的輪廓。另外,也可以采用其他線性的或非線性的輪廓提取技術(shù)。
2.基于庫確定結(jié)構(gòu)輪廓的處理
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